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从而开发出综合性能上能够满足或超越现有技术标准的新型 Ga₂O₃ 基日盲紫外光电探测器,推动其在高精度日盲紫外成像等领域的实际应用。 文章简介 近日,厦门大学程其进/张洪良团队系统地研究了氧气环境中的后退火和等离子体处理对 Ga₂O₃ ...
所述制备方法包括以下步骤:S1、在衬底上第一旋涂氧化镓前驱体溶液,第一热处理后得到氧化镓多晶薄膜;S2、在所述氧化镓多晶薄膜表面沉积金属电极;S3、在所述金属电极上第二旋涂氧化铟镓锌前驱体溶液,第二热处理后得到日盲紫外光电探测器。本发明工艺可靠、可重复性好,所得日盲紫外光电探测器至少具有响应度较高、探...
根据其结构和工作原理,日盲紫外光电探测器可以分为针结型和金属半导体场效应器(MESFET)两种类型。针结型日盲紫外光电探测器主要采用p-n结的原理,通过在p区和n区之间加上一定的反向电压,形成一个加速电场,从而加速载流子的漂移,实现光电转化。MESFET型日盲紫外光电探测器则利用了金属半导体结构,通过在金属与半导体之间形...
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金融界2024年12月26日消息,国家知识产权局信息显示,中汽研软件测评(天津)有限公司申请一项名为“日盲紫外光电探测器及其制备方法和应用”的专利,公开号 CN 119181747 A,申请日期为2024年11月。 专利摘要显示,本发明涉及紫外探测器领域,具体而言,提供了一种日盲紫外光电探测器及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下...
日盲紫外光电探测器在民生(如电网安全监测、环境与生化检测、森林火灾告警、医学成像等)领域有重要应用,是世界各国竞相研发的焦点。氧化镓具有宽带隙(可至4.9 eV)、地壳丰度较高(中国镓储量全球第一)、物理化学性能稳定等诸多优势,是理想的日盲(截止波长～280 nm,对应光子能量～4.42 eV)探测有源层材料。目前,氧化镓...
阳极引出端与第二阴极引出端位于硅基材料层上。本发明的日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器是基于硅基和化合物半导体材料集成，可以实现该探测器对 380nm 以上波段光子的有效抑制，保证了较高的光子探测效率，并改善了制作日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器时的工艺可靠性。本文源自：金融界 作者：情报员 ...