该问题需描述无源硅转接板的TSV工艺流程,核心流程包含:1. **硅基板准备**:光刻定义TSV位置,干法刻蚀(如DRIE)形成高深宽比孔;2. **绝缘层**:防止漏电,需在孔内壁生长/SiO₂(常用PECVD沉积);3. **导电层实现**:通过物理气相沉积(PVD)覆盖阻挡层(如TaN防止铜扩散)和铜种子层;4. **电镀填充**:铜
1. 电子设备中的应用:在电子设备中,无源硅转接板广泛应用于信号转换、电压调节与隔离等关键场景,确保设备的稳定运行和高效性能。 2. 通信网络中的角色:在构建和维护通信网络时,无源硅转接板发挥着信号放大、滤波和调节的重要作用,保障信号的清晰传输和网络的...
无源硅转接板是一种基于硅控整流技术的电子元器件,它通过调节电压和电流来实现信号的转换和调节。其主要由整流器、电容器和二极管等组成。当输入信号到达整流器时,整流器将信号转换为直流电流,并通过电容器和二极管进行过滤和调节,最终输出所需...
采用无定形硅(SIPOS)被用来简化硅衬底表面钝化,并采用 2 μm的厚铜工艺用于减少微波损耗提高器件 Q 值。 1 转接板整体架构和制造方法 本文介绍的是在传统硅基 CMOS 工艺基础上,针对微波射频应用,开发出的可用于射频微系统集成的硅基转接板技术。该技术将传统大马士革薄层铜工艺加厚,用于减小微波损耗;将射频TSV ...
硅转接板具有超薄厚度、超高互连密度、高深宽比硅通孔(TSV)、细线宽和小线距再布线层(RDL)等特点,航天771所先进封装生产线以项目为牵引,以先进的工艺平台为支撑,通过设计优化、工艺重组、流程再造,成功实现某款基于TSV+RDL无源硅转接板的研制,并完成小批量生产,良率达到业内先进水平。
展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和 TSV 等集成在适用于微波应用的高阻硅衬底上,可实现芯片级的CMOS 、 MMIC 及 MEMS 多种不同材料器件集成。采用这种方法制备的传输线损耗在 40 GHz 为0.34 dB/mm ,电容密度达到 1.05 fF/μm 2 , ...
展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和 TSV 等集成在适用于微波应用的高阻硅衬底上,可实现芯片级的CMOS 、 MMIC 及 MEMS 多种不同材料器件集成。采用这种方法制备的传输线损耗在 40 GHz 为0.34 dB/mm ,电容密度达到 1.05 fF/μm 2 , ...
硅转接板具有超薄厚度、超高互连密度、高深宽比硅通孔(TSV)、细线宽和小线距再布线层(RDL)等特点,航天771所先进封装生产线以项目为牵引,以先进的工艺平台为支撑,通过设计优化、工艺重组、流程再造,成功实现某款基于TSV+RDL无源硅转接板的研制,并完成小批量生产,良率达到业内先进水平。