对于内存接口而言,更高密度和更低功耗位列评估内存解决方案的重要指标,DDR5、LPDDR5、GDDR6以及HBM2E等新一代的内存接口技术也因此逐渐成为市场主流。即使面对DRAM市场周期波动,以及存储大厂库存积压和缩减成本的压力,内存DRAM的新势力技术依旧火热,甚至还有加大投资的势头。加上生成式AI应用、高算力芯片的带动作用,更高...
一、HBM的优势 高带宽:HBM通过将多个存储器堆叠在一起,形成高带宽的特点,突破了传统内存容量与带宽的瓶颈。这意味着可以更快地处理和传输数据,从而大幅提高计算机的性能。 低延迟:HBM的存储单元采用了先进的互联技术,能够实现快速的读写操作,大幅降低了存储器的延迟。这使得在处理复杂任务时,可以更快地响应用户的输...
在科技飞速发展的今天，内存技术也在日新月异地进步。美光，这个在全球内存市场占有重要地位的技术巨头，近日宣布推出了单条容量高达128GB的DDR5 RDIMM服务器内存，这一创举无疑将再次刷新内存技术的新高度。同时，这款内存的频率更达到了惊人的8000MHz，预示着未来内存技术的无限可能。 #寻找百度AI写手计划# 美光此次...
2020年7月15日,JEDEC固态技术协会正式发布了下一代主流内存标准DDR5 SDRAM的最终规范(JESD79-5)。DDR5作为最新的高带宽电脑存储器规格,被业界视为具备“革命意义”的内存架构。与DDR4相比,DDR5具备更高速度、更大容量与更低能耗。全新DDR5内存的最高传输速率达6.4Gbps,比DDR4内存提升了一倍。这些特性有助于缓解每个...
相对于2014年发布的第一代LPDDR4内存技术，LPDDR5内存的DRAM速度从3200Mbps提升到了6400Mbps，性能翻倍。现在的主流移动端产品最高支持LPDDR4x内存，读取速度为4266Mbps，而现在正式商用的LPDDR5内存实际速度为5500Mbps，以目前LPDDR5机型透露的内存数据来看，相对于老款产品约有30%的内存性能提升。在LPDDR5的内存设计上...
随着科技的飞速发展，高带宽内存（HBM）成为了新一代内存技术的重要代表。在三星的规划中，HBM4将引领未来内存技术的新方向，其中最为关键的是工艺学习和封装技术的创新。本文将详细介绍三星在HBM4内存技术中的两大发展方向，并阐述其优势和劣势。在工艺技术方面，三星采用了FinFET立体晶体管技术。FinFET是一种先进的...
三星发力新一代内存技术CXL，近期申请多个相关商标 近期，三星申请了多个CXL产品相关商标，引起各界关注。据《韩国先驱报》援引业内人士消息称，三星近期申请的商标包括三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H和三星CMM-HC。这些产品专为内存、芯片、数据存储设备等而设计。在内部，三星将CXL称为CMM（CXL内存模块）。（...
新一代内存DDR5带来了哪些改变? 从增强现实到人工智能、云计算再到物联网,5G正在燃爆新技术增长,同时也在燃爆它们生成的数据量。数据量越来越大,随之而来的是存储和快速访问需求,DDR5之类的技术变得空前重要。数据中心需要持续存储、传送和处理这些数据,推动着高速信令的极限,也给内存带来了前所未有的测试挑战。
虽然NAND闪存可能在2020年末引领企业级固态存储的蓬勃发展,不过这种技术潜在的对手已经出现,并开始获得业内关注。这些技术包括相变内存(PCM)、磁阻随机存取内存(MRAM)和电阻式随机存取内存(RRAM)。 在过去的数年中,这些新兴的内存技术发展迅速,在性能和产品使用时间方面都远远超过了现有的技术水平。
SK海力士宣布,已经开发出具备计算功能的下一代内存半导体技术“PIM”(processing-in-memory,内存中处理)。 同时,SK海力士还开发了首款基于PIM技术的产品“GDDR6-AiM”的样品,与传统DRAM相比,GDDR6-AiM通过与CPU、GPU相结合的系统,在特定环境中,能够将演算速度提高16倍之多。