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之后再进行第二步刻蚀,并且第二步刻蚀中的直流偏压小于第一步刻蚀中的直流偏压,即所述制备方法首先进行高能量刻蚀,之后进行低能量刻蚀,以在制备倾斜光栅的过程中,对刻蚀基板进行精细化刻蚀,有助于使得利用所述制备方法制得的倾斜光栅高度较高且平行度较好。
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