入射离子束轰击样品时,离子与靶原子发生弹性碰撞,散射离子的能量损失与靶原子的质量、碰撞几何参数相关,通过测量散射离子的能谱可反推出靶原子的种类及浓度分布。该技术具有高灵敏度、非破坏性、表面特异性等优势,广泛应用于半导体材料分析、薄膜表征、界面研究等领域。 当入射离子为单能束且能量在兆电子伏量级时,...
但通常入射离子质量必需大于氦离子（He+）。顶层原子的散射信号强，所以ISS具有很高的灵敏度。所以，样品...
在离子散射谱中,通常样品中每一种元素会出现一个谱峰,这些元素通过与相对原子质量相关的能量进行分离。 在一些情况下,可分辨出同一元素的同位素,但通常入射离子质量必须大于氦离子 (He+)。 仅有顶层原子的散射信号强,所以 ISS 具有很高的表面灵敏度。 所以,样品必须干净,表面甚至出...
分析过程中离子束的能量选择很关键。离子散射能谱在高分子薄膜材料分析中常用。能借助它了解高分子材料表面的化学环境。对高分子材料不同层间元素变化可清晰呈现。离子散射能谱分析速度较快效率较高。可依据散射离子角度获取材料结构信息。它能为高分子材料的老化研究提供数据。运用该技术能分析高分子材料的界面特性。离...
电离杂质散射是一种电磁波与物质相互作用的现象，其中物质中的原子或分子被电离。电离杂质散射的原理：电离杂质散射的发生需要入射电磁波的能量足够使物质中的原子或分子电离。当入射电磁波的能量大于或等于物质中原子或分子的电离能时，就会使原子或分子电离，产生自由电子和离子。这些自由电子和离子具有足够...
散射离子的能量损失与碰撞原子的质量有关,质量大的原子引起的能量损失小,质量小的原子引起的能量损失大。通过测量散射离子的能量分布,可以确定表面存在哪些元素。不同元素的散射信号强度还能反映其含量,结合散射角度分布,可以进一步推测原子排列方式。 这项技术应用范围挺广。比如在半导体行业,芯片制造过程中需要精确控制...
在ISS 中,通常1,因此常用的散射离子能 量公式为 E E M M M M 1 0 2 1 2 2 1 222 1 1 1 2 () cos()sin 离子散射过程 ISS 基本原理 1.8 keV的He+, Ne+, Ar+所得到的Mo的离子散射谱 ISS 基本原理 用不同质量的离子入射到Au-Ni合金所得到的具有不同分辨率的离子散射谱 ISS 谱仪 典型的...
硬球散射就是考虑一个入射粒子被一个半径为R的无限重刚性硬球散射，如图1所示.容易看出，当b<R时，...
根据经典力学的弹性散射原理：EE10(11)2[cos(2sin2)21]2 其中=M2/M1，1时取正号。在ISS 中，通常α1，因此常用的散射离子能量公式为 E11{cos[(M2)2sin2]21}2 E0(1M2)2 M1 M1 离子散射过程 ISS基本原理 1.8keV的He+,Ne+,Ar+所得到的Mo的离子散射谱 ISS基本原理 用不同质量的离子入射到Au-Ni...