扭角双层GaTe中的光学可调控的摩尔激子 研究背景 摩尔晶格具有长程周期性势场和较小的屏蔽库仑势,其中的激子性质也尤为特别,例如摩尔晶格中出现的层间激子、拓扑相变、高温玻色-爱因斯坦凝聚以及谷激子等。然而,在扭角过渡金属硫族化合物中,层间激子分布导致摩尔激子通常为暗态。与亮激子和光之间很强的相互作用不同...
由于螺旋WS2的相邻层之间存在转角,导致其第3层和第4层的原子分辨率的STM图中存在明显的摩尔超晶格。STS图则表明螺旋WS2摩尔超晶格价带顶附近存在一条局域的平带。而STS谱表明螺旋WS2摩尔超晶格的带隙与其原子堆垛结构存在依赖关系。这促使...
在这里,我们执行第一性原理模拟以揭示扭曲的MoS2/ WS2中的莫尔激子异质结构。我们提供了vdW异质结构中局部层间莫尔激子的直接证据。基于能隙的空间调制来绘制层间和层内的莫尔电位。在异质结构中观察到几乎平坦的价带。研究了摩尔激子的空间定位和结合能对异质结构扭曲角的依赖性。我们探索如何调整垂直电场以控制莫尔...
有鉴于此,北京科技大学马菱薇副研究员团队通过施加面外电场和改变激发功率来调节MoSe2/WS2在1.5°摩尔异质结构中的杂化激子寿命。采用干转移法制备了双栅电器件,并用拉曼光谱和原子力显微镜对其进行了表征。然后,利用稳态和时间分辨光致发光(TRPL)揭示了电场和激发功率对MoSe2/WS2异质结构中杂化激子寿命的影响。我们的研...
曼彻斯特大学的Vladimir I. Fal’ko以及谢菲尔德大学的Alexander I. Tartakovskii(共同通讯作者)等人利用硒化钼和硫化钨单层组装成半导体异质结构,并阐明了在这一体系中的激子能带能够杂化使得摩尔超晶格效应得到共振增强。研究人员认为由于硒化钼和硫化钨导带边缘的近简并,这一异质结构的层内和层间激子杂化程度应该更高...
曼彻斯特大学的Vladimir I. Fal’ko以及谢菲尔德大学的Alexander I. Tartakovskii(共同通讯作者)等人利用硒化钼和硫化钨单层组装成半导体异质结构,并阐明了在这一体系中的激子能带能够杂化使得摩尔超晶格效应得到共振增强。研究人员认为由于硒化钼和硫化钨导带边缘的近简并,这一异质结构的层内和层间激子杂化程度应该更高...