半导体处延掺杂剂量的直接算法 半导体处延掺杂剂量算法郭世民半导体技术
热释光剂量计探测器材料掺杂后,能使剂量计的灵敏 度、线性范围等性能有很大改进和提高。掺杂通常采用凝固 法或单晶法…,本研究尝试用加速器离子束注人的方法”1, 可实现大面积均匀掺杂;能保证杂质的高纯度;能在低温和 室温下进行注入掺杂,这样可避免热扩散所引人的热缺陷。
银掺杂剂量对内皮细胞增殖性能的影响 维普资讯 http://www.cqvip.com
半导体工艺实验半导体工艺实验半导体工艺实验半导体工艺实验半导体工艺实验半导体工艺实验离子注入的剂量与掺杂浓度关系实验一.实验目的与要求使用 14nm 集成电路工艺教学套件的工业级半导体工艺实验模块进行试验,通过实验获取(B、As、 P、Antimony/Sb、BF)五种离子不同的注入剂量与掺杂浓度的关系曲线。进一步了解离子注入工艺...
当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层,开始形成连续非晶层的注入剂量称为( )。A.临界剂量B.损伤剂量C.掺杂剂量D.最低掺杂剂量
最近需要进行离子注入，P型掺杂(Be)，浓度约为2×10的19次方，每立方厘米。是注入要铟镓砷磷材料中。
最近需要进行离子注入，P型掺杂(Be)，浓度约为2×10的19次方，每立方厘米。是注入要铟镓砷磷材料中。
形成B的超浅结掺杂(剂量为QB)时,为了避免沟道效应可否先注入锑(剂量为QSb)再注入硼?实际注入了多少硼?A.不可以B.可以,实际注硼:QB+QSbC.可以,实际注硼:
本发明提出一种以硅酸镁作为主体,铽和金属双掺杂硅酸镁剂量片及其制备方法.硅酸镁是斜方晶系,具有很好的物理和化学稳定性,稀土掺杂硅酸镁材料具有非常好的热释光灵敏度.本发明通过高温固相法制备出双掺的MgSiO(Tb;金属)固体热释光剂量片,该剂量片对X射线极为敏感,是目前市场上使用的商用LiF:Mg,Cu,P热释光剂量...