【掺杂剂浓度对KCaPO4:Sm发光性能的影响】KCaPO4作为一种磷酸盐基质,因其优良的化学稳定性和适宜的发光性能而备受关注。而钐(Sm)的掺杂显著提高了KCaPO4的发光性能,使其成为光激发光(OSL)和热释光(TL)剂量学应用中的强有力的竞争者。研究显示,Sm掺杂不仅提高了KCaPO4的发光效率,而且增强了其对环境辐射的响应...
ICS29.045 H 80 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT13389 2014 代替 / — GBT13389 1992 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与 掺杂剂浓度换算规程 Practiceforconversionbetweenresistivitanddoantdensitforboron-doed, y p y p , hoshorus-doed andarsenic-doedsilicon p p p p 2014-12-31发布 2015-09-01实施...
不同的掺杂剂会对硅片的电学性质产生不同的影响,因此需要根据太阳能电池的要求选择适合的掺杂剂。 1.1磷掺杂 磷是一种N型掺杂剂,掺杂磷可以使硅片成为导电性更强的N型硅片。磷掺杂可以提高硅片的导电性,增加载流子浓度,提高太阳能电池的电流输出。同时,磷掺杂还可以改善硅片的表面质量,减少表面缺陷,提高太阳能电池...
中华人民共和国国家标 准掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程GB/T 13389一92Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon主题内容与适用范围 本标准规定了23℃时掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度间的换算方法。 本标准适用于掺杂剂浓度loll-...
在本文中,我们报告了通过正电子湮没寿命(PAL)和多普勒展宽(DB)光谱研究的溶液燃烧合成的钇掺杂 CuO纳米微晶。Y掺杂CuO纳米晶中的晶格缺陷由掺杂剂浓度和退火温度的影响呈现。X射线衍射测量表明在高温下具有Y的杂质相(Y2O3扫描电子显微镜观察显示颗粒在退火时更聚集。PAL研究展示了三个生命周期分量(τ1、τ2和τ3)。
2.本标准是在对SEMI MF723《掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算规程》国际先进标准的充分理解、消化吸收和实践的基础上,对原有的国家标准进行修订。本标准内容完全涵盖SEMI MF723,标准采用了国标的格式。 3.与原标准相比,本次修订主要有如下变化: 3.1增加了砷掺杂剂对电阻率的换算关系; 3.2增加了...
环球晶圆取得控制硅熔融物中的掺杂剂浓度以增强铸锭质量专利 金融界2024年11月8日消息，国家知识产权局信息显示，环球晶圆股份有限公司取得一项名为“控制硅熔融物中的掺杂剂浓度以增强铸锭质量”的专利，授权公告号 CN 113272479 B，申请日期为 2019年9月。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
金融界2024年11月8日消息,国家知识产权局信息显示,环球晶圆股份有限公司取得一项名为“控制硅熔融物中的掺杂剂浓度以增强铸锭质量”的专利,授权公告号 CN 113272479 B,申请日期为 2019年9月…
《GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》相比于《GB/T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》,主要在以下几个方面进行了更新和扩展: 适用范围扩大:2014版标准不仅涵盖了掺硼和掺磷的硅单晶,还新增了对掺砷硅单晶的电阻率与掺杂剂浓度换算规定,适应了更广泛的半导...
本标准是对gbt133891992掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度号文件关于下达第批半导体材料国家标准修制订计划的通知电子股份有限公司杭州海纳半导体有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司等共同参加完成项目编号为20110432t469的国家标准掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算规程简称电阻率换算规程的修定工作 《掺硼、掺...