嬗变:指一种元素通过核反应转变为另一种元素。再结合掺杂(是将一定数量的杂质掺入到半导体材料的工艺,是为了改变半导体材料的电学特性,从而得到所需的电学参数),那NTD通过嬗变将一种元素转变为另一种元素,也能达到掺杂的目的,那接下来我们就来看看什么是中子嬗变掺杂。 中子掺杂嬗变原理 NTD...
这两个过程各有各的难度,原位掺杂好比你做精致的手工活儿,要小心翼翼,生怕一不小心弄坏了;而中子嬗变就像一个冲动的力量,虽然它不管三七二十一,但它的效果直接而迅猛。如果这两者发生在同一材料上,可能就形成了既有“掺杂”效果的精致,也有“嬗变”效果的剧烈,最终产生一个既有深度也有冲击力的材料。 所以呢,...
而中子嬗变掺杂是将中子以辐照方式注入到单晶硅材料中,以改变其物理性质和电子结构。本文将从实验设备的介绍、实验步骤以及研究结果的分析等方面,一步一步回答关于中子嬗变掺杂单晶硅辐照的问题。 从实验设备的角度来看,中子嬗变掺杂单晶硅辐照需要使用中子辐照源和单晶硅样品。中子辐照源是一种能产生高能中子束的设备,常见...
只有用中子嬗变掺杂(见图4-3b) 的方法, 诸如阻断电压大于2000V 的晶闸管才有可能实现。 硅的中子嬗变掺杂(NTD) 首先是由Lark-Horovitz和Tannenbaum, 以及Mills 研究和提出的。为了制造具有可接受恢复时间的5kV 晶闸管, 此方法在1973 ～1974 年间经过改进并推广至规模生产 。它是根据用热中子把硅的同位素3014Si ...
嬗变:指一种元素通过核反应转变为另一种元素。再结合掺杂(是将一定数量的杂质掺入到半导体材料的工艺,是为了改变半导体材料的电学特性,从而得到所需的电学参数),那 NTD 通过嬗变将一种元素转变为另一种元素,也能达到掺杂的目的,那接下来我们就来看看什么是中子嬗变掺杂。
中子嬗变掺杂(NTD,Neutron Transmutation Doping)是一种利用核反应来改变材料中的杂质浓度,从而实现掺杂的技术。尽管它在某些特定领域具有独特的应用价值,但也存在一些显著的缺点。以下是对中子嬗变掺杂缺点的详细分析: 1. 成本高昂 设备投资大:中子嬗变掺杂需要使用到中子源和相关的辐射防护设施,这些设备的购置和维护成本...
硅的中子嬗变掺杂是一种特殊的掺杂技术，利用中子与硅材料中的原子发生核反应，改变硅的晶体结构和电学性质。硅是一种非金属元素。硅的中子嬗变掺杂： 原理：利用核反应堆中的中子，通过选择的核反应，在单晶硅内部产生出原来不存在的新元素，如磷，从而达到单晶硅掺杂的目的。 优点：掺杂均匀性好、可以...
硅的中子嬗变掺杂，是一种通过核反应改变硅晶体结构和电学性质的特殊技术。在硅材料科学与电子工程领域，它被视为调节硅材料导电性、电阻率等电学特性的有效手段。硅，作为最重要的半导体材料，其单晶形式被广泛应用于集成电路中。随着超大规模集成电路集成度的提升，对单晶硅的均匀性和完整度要求也愈发严格...
嬗变:指一种元素通过核反应转变为另一种元素。再结合掺杂(是将一定数量的杂质掺入到半导体材料的工艺,是为了改变半导体材料的电学特性,从而得到所需的电学参数),那 NTD 通过嬗变将一种元素转变为另一种元素,也能达到掺杂的目的,那接下来我们就来看看什么是中子嬗变掺杂。
2、中子嬗变掺杂后的直拉硅单晶清洗处理后,送入在氧和含氯气氛保护下1000℃-1180℃的扩散炉内恒温1-2小时; 3、随炉缓冷至800℃-850℃时恒温3-5分钟; 4、从炉内取出,空气冷却。 保护气氛的通入方法是在扩散炉高温恒温过程中,开始先通入氧和含氯气氛10-15分钟,然后单独通入氧气,其流量为30-40毫升/分。保...