在半导体制造过程中,氮化硅光掩膜层通常与其他材料(如铬或二氧化硅)结合使用,以形成具有所需图案的光掩膜。这些图案随后通过光刻技术转移到硅片上,从而制造出具有所需电路结构的半导体器件。 需要注意的是,随着半导体技术的不断发展,光掩膜材料和技术也在不断...
一、半导体硬掩膜的制造工艺 半导体硬掩膜通常由耐高温、耐化学腐蚀和机械强度较高的材料制成,如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)。在制造过程中,通过光刻技术,将掩膜版上的设计图形转移到光刻胶上,再经过刻蚀,将图形刻到衬底上,从而...
掩膜层作为半导体制造过程中的关键材料,广泛应用于芯片光刻等工艺中。传统的掩膜层材料通常面临效率低、精度不足等问题,而杭州积海的此次创新专利,意图解决这些技术瓶颈,从而提升半导体器件的整体性能与经济性。具体而言,该专利提供了一种新的掩膜层形成方法,能够更好地控制掩膜层的厚度和均匀性,提高光刻过程中的解析度...
在CMOS 工艺中,通常采用 SiO 2 作为掺杂工艺的掩膜层材料。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具
金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，南京华东电子真空材料有限公司取得一项名为“一种用于生产混合膜的薄膜吸气剂掩膜”的专利，授权公告号CN 221877148 U，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种用于生产混合膜的薄膜吸气剂掩膜，包括不锈钢主体，所述不锈钢主体顶端的前后两侧对称...
硬掩膜材料层,以形成第二硬掩膜层,第二硬掩膜层为金属氧化物层;以第二硬掩膜层作为遮挡,图案化第一硬掩膜材料层,以形成第一硬掩膜层,第一硬掩膜层暴露出部分目标膜层,其中,刻蚀物质对第二硬掩膜层的刻蚀速率小于对第一硬掩膜材料层的刻蚀速率;以第一硬掩膜层及第二硬掩膜层作为遮挡,图案化目标膜层,形成目标...
太阳井电镀铜的创新点:自制掩膜+边缘保护+柔性接触电镀。太阳井基本工艺流程包括铜种子层沉积、表面及边缘掩膜涂布、曝光显影、电镀、去膜刻蚀等。 (1)自研匹配的掩膜材料:干膜碎片率高、成本高,加上市场上的湿膜无法满足药水兼容性、去膜难易程度等问题,太阳井自研了掩膜材料,栅线能做到10-15微米; ...
专利摘要显示,一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底;在部分衬底表面形成硬掩膜结构,硬掩膜结构包括硬掩膜层和位于硬掩膜层上的保护层,保护层和硬掩膜层的材料不同;以硬掩膜结构为掩膜,采用第一刻蚀工艺刻蚀衬底,在衬底内形成沟槽,且在形成沟槽之后,保护层仍有保留,且未暴露出硬掩膜层在沟槽内和保护层表面形成隔...
💡半导体光掩膜,是微电子制造中光刻工艺所使用的图形模板。 📌通过光刻制版工艺,将微米级和纳米级的精细图案刻置于光膜基板上,制作成光掩模板。光掩模板的功能类似于传统照相机的底片。用光刻机在原材料上刻示出相应的图形,把不需要的金属层和胶层 - 马爷(3060研