什么是硬掩模? 在刻蚀工序中,为了刻蚀出特定形状,需要在目标材料上设置遮挡层,遮挡层下面的目标材料是不被刻蚀的,没有遮挡层的部分是要被可是掉的。 光刻胶是传统的遮挡材料,但是当线宽逐渐减小时,需要更薄的光刻胶,因为厚度过高,极易出现光刻胶塌陷问题,且光刻分辨率要大打折扣。但是,过薄的光刻胶又不足以...
光刻机(lithography)又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术,把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。 DMD无掩膜光刻技术是从传统光学光刻技术衍生出的一种新技术,因为其曝光成像的方式与传统投影光刻基本相似,区别在于使用数字DMD代替传统的掩膜,其主要原...
掩模版(mask)简称掩模,是光刻工艺不可缺少的部件。掩模上承载有设计图形,光线透过它,把设计图形透射在光刻胶上。掩模的性能直接决定了光刻工艺的质量。在投影式光刻机中,掩模作为一个光学元件位于会聚透镜(condenserlens)与投影透镜(projectionlens)之间,它并不和晶圆有直接接触。掩模上的图形缩小4~10倍(现代光刻机...
引言极紫外(EUV)光刻技术在先进半导体制造领域扮演着重要角色,能够实现更小尺寸和更复杂集成线路的生产。本文通过TSMC专利来介绍EUV光刻掩模技术,包括基本结构、设计考虑因素以及在半导体制造中的应用[1]。 基…
硬掩模(Hard Mask)是一种通过CVD(Chemical Vapor Deposition, CVD)生成的无机薄膜材料。其主要成分通常有TiN、SiN、SiO2等。硬掩模主要运用于多重光刻工艺中,首先把多重光刻胶图像转移到硬掩模上,然后通过硬掩模将最终图形刻蚀转移到衬底上[1] 。 硬掩模在工艺中运用:双重光刻(LELE)工艺中的双沟槽光刻技术、双线...
1、因此,需要解决现有技术中已知的模板光刻掩模的问题,如本文将提出的。 2、解决先前限制的解决方案可以通过模板掩模来实现,例如用于在基板上制造至少一个纳米级器件的模版掩模,所述模板掩模包括: 3、-膜,其具有顶表面和底表面,优选顶表面和底表面之间的厚度为至少200nm,优选至少500nm,更优选至少1μm,或者甚至1.5...
本文系统介绍半导体光刻设备中精密掩模传输对准系统的核心技术,分析设备类型、工作原理及技术挑战,揭示其对芯片制造良率的关键影响。 一、掩模传输对准的核心价值 掩模对准精度直接影响: 套刻精度:层间图形偏移<3nm(7nm制程); 良品率:每提升1nm对准精度,良率提高约0.5%; ...
综上所述,半导体精密掩模传输对准光刻设备在半导体制造中发挥着至关重要的作用。它通过精确对准掩模图案与晶圆表面,实现了高精度蚀刻,为半导体器件的性能和可靠性提供了有力保障。同时,该设备还提高了生产效率,降低了生产成本,为半导体制造行业的可持续发展注入了新的活力。
近日,中科院上海光机所高端光电装备部李思坤研究员团队在全息光刻研究方面取得进展。相关成果发表在Optics Express上。 全息光刻相比于主流的投影式光刻,不需要复杂的投影物镜系统,设备成本更低,比传统接近式光刻的分辨率更高,并且对掩模缺陷不敏感,具有广阔的应用前景。全息掩模设计是全息光刻的关键技术。通常基于Gerchberg...
首先掩膜版:随着半导体制造业向中国大陆迁移的趋势,预期国内对光刻掩模的需求将在未来持续增长。根据 龙图光罩 交易所在问询中的回复,预计到2027年,国内65-130纳米掩模版市场规模将达到约35.3亿元人民币。进一步推测,28-130纳米掩模版市场的规模将接近100亿元人民币。