因此两种不同金属M1、M2接触后，M1带正电、电势升高，电子的势能减小；M2带负电、电视降低，电子的势能增大。也就是说, 由原来的两金属费米能级不同而引起的电子转移,在M1、M2间形成了静电场，使金属M1的电势高于金属M2，其电势差即通常所说的接触电势差。这时候金属M1,中的电子附加上在正的静电场...
请问您当时怎么测试的样品的接触电势差呢，从VB-XPS做切线做的吗？接触电势差=仪器功函数-样品功函数 ...
分别计算 300K 下 GaAs 和 Ge 两种 pn 结的接触电势差 Vbi。 pn 结的参数是:Nd = 1015 cm3, Na = 1016 cm3. (G
说明pn 结空间电荷区如何形成?并导出 pn 结接触电势差的计算公式。 n01 p01 本征半导体 n02 p02 n型半导体 又因为 p0 Nve ___ k0T ,则 N v 1.11019 10 Ev 0.234...
百度试题 结果1 题目由同种金属制做的两金属块,一个施加30个大气压,另一个承受一个大气压,设体积弹性模量为,电子浓度为,计算两金属块间的接触电势差、 相关知识点: 试题来源: 解析反馈 收藏
如果是整流接触,设硅衬底,分 别计算肖特基势垒高度 B0 、半导体侧的接触电势差 Vbi 。 解 B0 m x Vbi m s 5.10 T=300K ,n型硅衬底杂质浓度为 ND 5 1015 cm 3 ,计算金属铝 -硅肖特基接触平衡态 的反向电流 JsT 、正偏电压为 5V 时的电流。计算中取理查森常数 A* 264A·cm 2·K 2。 解J AT ...
2T=300K,n型硅衬底杂质浓度为 Nd =1016cm“,绘出平衡态金-硅接触能带图,计算肖 特基势垒高度' bo、半导体侧的接触电势差 Vbi、空间电荷区厚度 W。
如果是整流接触,设硅衬底,分别计算肖特基势垒高度φ_B、半导体侧的接触电势差。解φ_m=φ_ws^s 结果一 题目 3 n沟道JFET有关材料参数和结构是:,沟道宽度是Z=0.1mm,沟道长度,沟道厚度是,计算(1)栅结的接触电势差;(2)夹断电压;(3)冶金沟道电导;(4)和时的沟道电导(考虑空间电荷区使沟道变窄后的电导)...
4个电势相加（注意方向）。一般认为两个温差电势抵消，两个接触电势不等，实际反应的是两个接触电势之差。
温度—电势特性关系由导体A和B组成的热电偶回路,当接触点温度T>T0时,回路总电势等于接触电势与温差电势的代数和,但由于温差电势通常远远小于接触电势,因而工程计算上可以把接触电势看成回路总电势。回路总电势为EAB(T,T0)=[EAB(T)-EAB(T0)]-{EA(T-T0)-EB(T-T0)=E_(AB)(T)-E_(AB)(T_O) (5-5...