所谓开关损耗是指MOS管在开通和关断过程中,电压和电流不为0,存在功率损耗。由前述MOS管导通过程可知,开关损耗主要集中在t1~t3时间段内。而米勒平台时间和MOS管寄生电容Crss成正比,其在MOS管的开关损耗中所占比例最大,因此米勒电容Crss及所对应的Qgd在MOS管的开关损耗中起主导作用。因此对于MOS管的选型,不仅需要考虑...
弛豫损耗 当交变电场E 改变其大小和方向时,电介质极化的大小和方向随着改变。如电介质为极性分子组成(极性电介质)或含有弱束缚离子(这类偶极子和离子极化由于热运动造成,分别称为偶极子和热离子),转向或位移极化需要一定时间(弛豫时间),电介质极化与电场就产生了相位差,由这种相位差而产生了电介质弛豫损耗Wg。如组...
摘要: 热噪声可以使损耗模式RF-SQUID磁通响应曲线迴滞面积变小,从而使V_(rf)—I_(rf)平台缩短,同时还可使平台变倾斜,两端变圆滑。温度越高,上述效应越明显。本文定量分析了液氮温区热噪声对平台的影响,得到了观察完整三角波的条件。关键词: 液氮温区;损耗;模式;RF-SQUID;曲线 ...
基于接收机特性曲线的非相干积分平方损耗计算方法,就是基于以上原理,通过将接收机特性曲线与信号传输过程中的信噪比关系相结合,来计算信号传输过程中的损耗情况。其主要步骤如下: 1.测量信号在传输过程中的接收功率和输出信噪比; 2.根据接收机特性曲线,确定接收机在当前接收功率下的输出信号质量水平; 3.通过对接收机特...
低损耗铁氧体材料特性及频率曲线图
1.本发明涉及电力电子器件建模与可靠性技术领域,尤其涉及一种基于特性曲线的mmc子模块igbt通态损耗分析方法。 背景技术: 2.igbt通态损耗计算对模块化多电平变换器(mmc)子模块的器件选型、散热设计等分析具有重要意义。目前,igbt损耗计算主要分为物理方法和数学方法。物理方法主要是通过元器件来简单模拟igbt内部电路,基于...
石英光纤损耗特性曲线上形成的低损耗窗口,主要原因是由于( )的存在 A、 瑞利散射 B、 弯曲损耗 C、 OH- D、 菲涅尔反射查看答案 微信小程序答题 下载APP答题 由4l***pc提供 分享 举报 纠错 相关题库推荐职业技能鉴定光线务员光缆 2024-09-12 共1194道 相关...
五、某晶体管的输出特性曲线如下图,其集电极最大耗散功率PCM=200mW,试画出它的过损耗区。 相关知识点: 试题来源: 解析 解:根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过...
令归一化 门限为 = 卫 2a2,则由式( 10)可以推导 出虚警概率为 呼一 ⋯ ) 第 52 卷 范春磊 等 :基于接收机特性 曲线 的非相干积分平方损耗计算方法 第 7 期 一 ) . exp[ 一N(z + y ) ] ×IN_I[ 2 ]d; (12) 前面解析式中,信号和噪声的分布 比较复杂 ,即 使给出要求的检测概率和虚警...
从光纤的损耗波长特性曲线中可以看出:有衰减系数低的“窗口”,即工作窗口,其波长分别是λ=850nm、()nm、1550nm三个窗口。A.1490B.1310C.1560D.1625的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档