拉扎维模拟CMOS集成电路设计第二章作业答案-中文.ppt,第二章 作业答案 2.1、W/L=50/0.5,假设|VDS|=3V,当|VGS|从0上升到3V时,画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线 解: 2.2 W/L=50/0.5, |ID|=0.5mA,计算NMOS和PMOS的跨导和输出阻抗,以及本证增益gmro 解:本题忽略侧向扩
拉扎维模拟CMOS集成电路设计第二章作业答案详解完整版中文.ppt,第二章 作业答案 2.1、W/L=50/0.5,假设|VDS|=3V,当|VGS|从0上升到3V时,画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线 解: 2.2 W/L=50/0.5, |ID|=0.5mA,计算NMOS和PMOS的跨导和输出阻抗,以及本证增益gmro 解:本题忽
拉扎维模拟CMOS集成电路设计第二章作业答案详解完整版中文.ppt,第二章 作业答案 2.1、W/L=50/0.5,假设|VDS|=3V,当|VGS|从0上升到3V时,画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线 解: 2.2 W/L=50/0.5, |ID|=0.5mA,计算NMOS和PMOS的跨导和输出阻抗,以及本证增益gmro 解:本题忽