Fz法和Cz法,两种工艺区分主要根据单晶硅的长晶方式不同,分为悬浮区熔法(Fz-floatzone)和直拉法(Cz-czochralski)。 两种工艺的技术要求 区熔可以生产出高质量的高纯度单晶,但其对原料、设备和技术的要求较为苛刻,且对于多晶硅原料的尺寸要求较高,生产的晶体尺寸也较小,导致其生产成本较高。目前Fz法多应用于对硅...
03月27日 拉单晶虽然使用了工艺流程,但其与传统意义上的流水线不同,不可简单地归为流水线类别。 一、拉单晶的工艺流程 拉单晶是一种制备单晶材料的方法,其基本工艺流程包括:选取适合的晶种、在熔炉中熔化晶种、拉伸晶种、冷却晶种、切割晶种等。在这个工艺流程中,每一步都需要精准的控制和调整,以保证拉制出...
单晶拉制流程 单晶拉制流程:熔料(多晶硅原料加杂质熔化)→稳温(维持熔体恒温)→引晶(籽晶接触熔面,开始生长)→放肩(减小拉速,扩大晶颈)→转肩(过渡到等径生长)→等径(恒速拉制,形成所需直径单晶)→收尾(逐渐减小拉速,终止生长)。全程需严格控制温度、拉速及气氛,确保单晶品质。
温度梯度是指在拉单晶的过程中,炉管内的温度变化情况。如果温度梯度过大,会导致晶体出现变形、裂纹等问题。同时,温度梯度也会影响拉单晶的速度。一般来说,温度梯度越大,拉单晶的速度就越快。这是因为温度梯度越大,晶体内部的应力也越大,使得材料分子间作用力减小,...
2.2直拉单晶生长法 直拉硅单晶(CZ/MCZ单晶),这是单晶生长中最常用的一种方法,大多数企业采用的都是这种方法,广泛应用于半导体集成电路、二极管、太阳能。 a装料 明确装料操作流程和方法,保证开炉效果,避免开炉因装料而导致的挂边,断苞等不良情况,提高成晶率。
拉单晶断线原因及解决方法 04月15日 一、温度和拉晶速度不匹配 在拉晶过程中,温度持续下降,变化非常大,对温控炉的控制精度要求非常高。要保证不断线,需要在温度下降的过程中不断调整拉晶的速度,使单晶线的生长速率维持恒定。解决方法是提高温控炉的控制精度,确保温度和拉晶速度的匹配。 二、...
本文简单介绍了生长无位错直拉硅单晶的方法。 引晶阶段是硅单晶生长过程的关键阶段,当籽晶浸入硅熔液时,由于籽晶和熔液温度相差很大,高温熔液对籽晶造成强烈的热冲击,籽晶头部会产生大量的位错。为了消除引出单晶中的位错,这些位错甚至能够延伸到整个晶体。因此,在50年代Das...
拉单晶硅的三种制备方法 2023年07月25日 一、Czochralski法 Czochralski法是单晶硅生产的主要方法之一。该方法通过在熔体中拉出单晶硅,可以获得高纯度、大尺寸、低缺陷密度的单晶硅。该方法的原理是将高纯度的硅粉末投入到石英坩埚中,加热到熔点以上,使硅粉逐渐熔化。然后,在坩埚上方放置一个单晶硅种晶棒,...
晶体生长过程的特性主要表现为三点:非线性、时变和大时滞。晶体生长过程中单晶炉内的热场复杂多变,热量传输如图所示。非线性特性在直拉硅单晶生长的热场分布中,晶体位于单晶炉的中心部分,热量从固液界面通过传导释放到晶体,然后从晶体的顶部和侧面通过辐射散发到周围。晶体...