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Fz法和Cz法,两种工艺区分主要根据单晶硅的长晶方式不同,分为悬浮区熔法(Fz-floatzone)和直拉法(Cz-czochralski)。 两种工艺的技术要求 区熔可以生产出高质量的高纯度单晶,但其对原料、设备和技术的要求较为苛刻,且对于多晶硅原料的尺寸要求较高,生产的晶体尺寸也较小,导致其生产成本较高。目前Fz法多应用于对硅...
03月27日 拉单晶虽然使用了工艺流程,但其与传统意义上的流水线不同,不可简单地归为流水线类别。 一、拉单晶的工艺流程 拉单晶是一种制备单晶材料的方法,其基本工艺流程包括:选取适合的晶种、在熔炉中熔化晶种、拉伸晶种、冷却晶种、切割晶种等。在这个工艺流程中,每一步都需要精准的控制和调整,以保证拉制出...
温度梯度是指在拉单晶的过程中,炉管内的温度变化情况。如果温度梯度过大,会导致晶体出现变形、裂纹等问题。同时,温度梯度也会影响拉单晶的速度。一般来说,温度梯度越大,拉单晶的速度就越快。这是因为温度梯度越大,晶体内部的应力也越大,使得材料分子间作用力减小,...
一、直拉单晶硅的优点 1. 高纯度 直拉单晶硅的纯度非常高,能够达到99.99999%以上,这种高纯度的硅材料非常适合用于制造太阳能电池片等高科技产品。 2. 高效率 直拉单晶硅制造的太阳能电池片效率非常高,能够达到20%甚至更高,这是由于直拉单晶硅的结晶状态比其他硅材料更加完整。 3. 易于控制 直拉单晶硅的制作...
提拉法 此法是由熔体生长单晶的一项最主要的方法,被加热的坩埚中 盛着熔融的料, 籽晶杆带着籽晶由上而下插入熔体, 由于固液界面附近的熔 体维持一定的过冷度、 熔体沿籽晶结晶, 并随籽晶的逐渐上升而生长成棒状 单晶。坩埚可以由高频感应或电阻加热 2、。半导体锗、硅、氧化物单晶如钇铝 石榴石、钆镓...
拉单晶断线原因及解决方法 04月15日 一、温度和拉晶速度不匹配 在拉晶过程中,温度持续下降,变化非常大,对温控炉的控制精度要求非常高。要保证不断线,需要在温度下降的过程中不断调整拉晶的速度,使单晶线的生长速率维持恒定。解决方法是提高温控炉的控制精度,确保温度和拉晶速度的匹配。 二、...
详细的直拉单晶生产工艺 一、装炉和化料 单晶生长运行的第一步是在石英坩埚中装入多晶硅料。多晶硅通常装在双层的洁净塑料袋子中,5KG一袋,也有很多较大规格的袋子。可以在将硅带入装料区域之前取出外层塑料袋,以减少可能被运入坩埚的任何污染。 石英坩埚可以提前放在炉子内。但为了节省拉晶时间,也为了避免污染,装料...
【CCZ连续直拉单晶:协鑫科技与天通股份联合开发】 CCZ最大的特点可以提升效率和品质,但是它有一个前提是使用颗粒硅(协鑫科技独家生产)才能更好达到效果,之前也受限于此,如今颗粒硅已经完全产业化了,自然攻克CCZ就是接下来的重点。 效率提升:连续直拉单晶(CCZ)采用特殊直拉单晶炉,一边单晶拉制,一边加料熔化。颗粒硅具...