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最终抛光:对于线宽要求极高的IC芯片工艺,如小于0.13μm至28nm的芯片,硅片在细抛光和“去雾”精抛光后,还需进行一次最终抛光,以确保硅片表面具有极高的机械加工精度和表面纳米形貌特性。 需要注意的是,硅片表面的化学机械抛光(CMP)与IC制备工艺中晶片表面的平坦化CMP技术是两种不同的抛光...
8寸单面抛光硅片/氧化硅片/SIO2片/SEM扫描电镜AFM衬底硅片 沈阳万泉光电科技有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 辽宁 沈阳市 ¥1.00成交3486片 供应6英寸半导体IC晶圆抛光片高纯度单晶硅片Test wafer 东莞市森烁科技有限公司14年 月均发货速度:暂无记录
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抛光片:有光滑表面的硅片,主要关注加工的硅表面的特征参数。 硅抛光片表面的平整度 描述平整度的两个参数: 总指示读数(TIR):硅片抛光表面最高点和最低点之差,即峰谷差值,只为正值。 焦平面偏差(FPD):表面最高点和最低点二者中,偏离基准平面的最大值,可以是正或负值。
4英寸厚氧化层抛光硅片(2微米 5微米 10微米) 苏州德利源电子科技有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 江苏 苏州市吴中区 ¥50.00 8寸单面抛光硅片/氧化硅片/SIO2片/SEM扫描电镜AFM衬底硅片 沈阳万泉光电科技有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 辽宁 沈阳市 ...
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