忆阻器，全称记忆电阻器(Memristor)。它是表示磁通与电荷关系的电路器件。忆阻具有电阻的量纲，但和电阻不同的是，忆阻的阻值是由流经它的电荷确定。因此，通过测定忆阻的阻值，便可知道流经它的电荷量，从而有记忆电荷的作用。1971年，蔡少棠从逻辑和公理的观点指出，自然界应该还存在一个电路元件，它表示磁通与...
忆阻器实际上就是一个有记忆功能的非线性电阻器。蔡少棠发表的论文《忆阻器：下落不明的电路元件》提供了忆阻器的原始理论架构，推测电路有天然 的记忆能力，即使电力中断亦然。简单说，忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻。通过控制电流的变化可改变其阻值，如果把高阻值定义为“1”，低阻值定义为“0”，则这 ...
通过精心设计和优化这些结构,研究人员正在不断推进忆阻器技术的发展,为未来的电子产品和计算系统带来革命性的变革。 主要类型 在探讨忆阻器的结构与类型时,我们需要深入了解这种新型电子元件的多样性及其各自的特点。忆阻器作为一种新兴的非易失性存储技术,已经衍生出多种类型,每种都有其独特的优势和适用场景。以下是...
忆阻器 忆阻器是一种被动双极性元件,具有四个基本状态:高电阻(HR)、低电阻(LR)、高电容(HC)和低电容(LC)。它利用电荷的积累来记住之前的电流状态,从而能够在不施加电压的情况下保持其状态。忆阻器的核心特性是能够在不同的电流条件下保持其电阻值,这使得它成为一种非常适合用于存储和操作信息的元件。 忆阻器的...
忆阻器,英文名为memristor, 该单词由memory+resistor各取一半构成,其同时具备电阻和存储的性能。这个概念最早由UC Berkley的蔡少棠教授在1971年提出。对于四个常用的电路变量电压、电流、电荷与磁通量,彼此之间存在6个关系式,其中有5个关系式分别对应几种常用的电学元件与物理定律: ...
忆阻器全称记忆电阻器(Memristor)由Memory和Resistor两个英文单词组成该电学器件源于 1971 年由加州大学伯克利分校教授蔡少棠预言存在惠普公司在 2008 年研造成功 在电路中,有四大基本变量:电流i、电压u、电荷量q和磁通量φ这几个基本变量之间的相互关系,可以得出三大基本无源电路元件:电阻器、电容器和电感器电阻器反应...
近日，清华大学发布的一颗忆阻器存算一体芯片，火了。该芯片的火爆源于一个月前，清华大学发的一篇论文：2023年9月14日，清华大学吴华强及高滨共同通讯在Science在线发表题为“Edge learning using a fully integrated neuro-inspired memristor chip”的研究论文，论文显示，团队基于存算一体计算范式，研制出全系统集成、...
忆阻器被认为是和电阻器、电容器、电感同层级的基础电子元件。忆阻器的概念最早在 1971 年由华人科学家蔡少棠提出。近日，Nature 发布了一篇来自印度科学学院、得克萨斯农工大学和爱尔兰利莫瑞克大学的一篇论文，其中提出了一种「线性对称的自选择式 14 bit 的动力学分子忆阻器」。论文标题：Linear symmetric self-...
自旋忆阻器就是基于自旋电子学制作的忆阻器。忆阻器 忆阻器是用来描述磁通量和电荷之间联系的一种新型电路元件。1971年，蔡少棠教授团队通过深刻探索研究对称性原理的基础上，历史上第一次预测提出了电路中应当存在一种新的元件用来表示磁通量与电荷之间的数学关系，即我们这里所提到的忆阻器。基本特性 忆阻器作为一个...