高像素密度与高通量处理能力:TCL华星AM EWOD微流控芯片在2.8寸面积集成了128×64共8192个像素,实现了微米级的单像素级别微液滴操控,提高了像素使用率和样本处理通量,为高通量实验提供了强有力的技术支持。 先进背板技术:依托TCL华星先进的IGZO制程工艺,IGZO TFT背板技术以其高电子迁移率和高电流开关比,为微流控芯...
高像素密度与高通量处理能力:TCL华星AM EWOD微流控芯片在2.8寸面积集成了128×64共8192个像素,实现了微米级的单像素级别微液滴操控,提高了像素使用率和样本处理通量,为高通量实验提供了强有力的技术支持。 先进背板技术:依托TCL华星先进的IGZO制程工艺,IGZO TFT背板技术以其高电子迁移率和高电流开关比,为微流控芯...
技术亮点 高像素密度与高通量处理能力:TCL华星AM EWOD微流控芯片在2.8寸面积集成了128×64共8192个像素,实现了微米级的单像素级别微液滴操控,提高了像素使用率和样本处理通量,为高通量实验提供了强有力的技术支持。 先进背板技术:依托TCL华星先进的IGZO制程工艺,IGZO TFT背板技术以其高电子迁移率和高电流开关比,为...
高像素密度与高通量处理能力:TCL华星AM EWOD微流控芯片在2.8寸面积集成了128×64共8192个像素,实现了微米级的单像素级别微液滴操控,提高了像素使用率和样本处理通量,为高通量实验提供了强有力的技术支持。 先进背板技术:依托TCL华星先进的IGZO制程工艺,IGZO TFT背板技术以其高电子迁移率和高电流开关比,为微流控芯...
高像素密度与高通量处理能力:TCL华星AM EWOD微流控芯片在2.8寸面积集成了128×64共8192个像素,实现了微米级的单像素级别微液滴操控,提高了像素使用率和样本处理通量,为高通量实验提供了强有力的技术支持。 先进背板技术:依托TCL华星先进的IGZO制程工艺,IGZO TFT背板技术以其高电子迁移率和高电流开关比,为微流控芯...