第2章 1 、在 N 区耗尽区中,高斯定理为: ∫∫ E dA = q A εs V NDdv 取一个圆柱形体积,底面在 PN 结的冶金结面(即原点)处, 面积为一个单位面积,顶面位于 x 处。则由高斯定理可得: 微电子器件与IC设计基础_第2版_刘刚_陈涛_课后答案 课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态在...
部分习题解 答部分物理常数:191412S103Gi1412S133Gi1.6 10×=C,0.026V (300k),(Si)11.8 8.854 10×==×=1.045 10F cm,(Si)1.09eV,(Si)1.5 10 cm ,××=×(Ge)16 8.854 101.417 10F cm,(Ge)0.66eV,(Ge)2.4 10 cm ,qkT qTEnEnεε−−−−−−−===×===××1413OX3.9 8.854 ...