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第2章 1 、在 N 区耗尽区中,高斯定理为: q ∫ A E dA = ε s 微电子器件与IC设计基础 第2版 刘刚_陈涛_课后答案 半导体物理与器件第四版课后习题答案1 Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 4 th edition Chapter 1 By D. A. Neamen Problem Solutions ___ Chap...
部分习题解 答部分物理常数:191412S103Gi1412S133Gi1.6 10×=C,0.026V (300k),(Si)11.8 8.854 10×==×=1.045 10F cm,(Si)1.09eV,(Si)1.5 10 cm ,××=×(Ge)16 8.854 101.417 10F cm,(Ge)0.66eV,(Ge)2.4 10 cm ,qkT qTEnEnεε−−−−−−−===×===××1413OX3.9 8.854 ...
(完整 word)微电子器件与 IC 设计基础_第 2 版,刘刚,陈涛,课后答案[1] 课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态?在量子力学中又是用什么方法来描述的? 解:在经典物理中,粒子和波是被区分的。然而,电子和光子是微观粒子,具有波粒二象性。因此,经典物 理无法准确描述电子的状态. 在量子力学中,...