*本文节选自山东大学彭燕、徐现刚团队《金刚石-碳化硅复合衬底:GaN基器件高效散热器的新策略》。联系小编,可获取8页完整版论文。 来源:ScienceDirect 参考文献:Diamond-SiC composite substrates: A novel strategy as efficient heat sinks for GaN-based devices 声明:F
山东大学新一代半导体材料研究院徐现刚、彭燕、胡秀飞、葛磊等集合材料、器件团队优势,提出新型复合SiC-金刚石衬底与GaN器件结合的新工艺流程和制备方案,通过系列工作解决了异质界面多晶成核的问题,实现了在4H-SiC衬底上直接生长多晶金刚石;构建理模型获得了SiC衬底减薄至最佳厚度的方案,制备出由200 m 4H-SiC和200 m...
山东大学, 讲师 / 科研之友号:88595552 科研之友人员唯一编号 邮箱:penny4***@163.com 1 项目 21 成果 901 阅读 1 下载 32 被引 4 H-指数 主页 成果 工作经历 山东大学 晶体所, 讲师 代表成果 Fabrication of ohmic contact on the carbon-terminated surface of n-type silicon carbide ...
山东大学新一代半导体材料研究院徐现刚、彭燕、胡秀飞、葛磊等集合材料、器件团队优势,提出新型复合SiC-金刚石衬底与GaN器件结合的新工艺流程和制备方案,通过系列工作解决了异质界面多晶成核的问题,实现了在4H-SiC衬底上直接生长多晶金刚石;构建理模型获得了SiC衬底减薄至最佳厚度的方案,制备出由200 μm 4H-SiC和200...
彭燕,凝聚态物理博士,山东大学副教授/博士研究生导师,广州南砂晶圆半导体技术有限公司研发中心主任。主要从事宽禁带半导体材料研究工作,重点研究SiC、金刚石材料的制备、表征及应用研究,先后主持/参与国家基础研究计划、973、核高基及自然科学基金项目等10余项,发表SCI论文40余篇,申请/授权专利近30项。
期间,由江苏南大光电材料股份有限公司、中微半导体设备(上海)股份有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司协办的“衬底、外延及生长装备”分会上,广州南砂晶圆半导体技术有限公司研发中心主任、山东大学副教授彭燕带来了“SiC单晶材料及产业化进展”的主题报告。
科研之友号:98308851 科研之友人员唯一编号 邮箱:penny4***@163.com 0 项目 42 成果 999 阅读 2 下载 103 被引 5 H-指数 主页 成果 教育经历 山东大学 相关人员 更多 徐现刚 成果: 217H指数: 19 关注 陈秀芳 成果: 66H指数: 9 关注 胡小波 ...