期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告,讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题,分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。同时介绍了深圳平湖实验室在宽带隙...
期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告,讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题,分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。同时介绍了深圳平湖实验室在宽带隙...
期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告,讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题,分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。同时介绍了深圳平湖实验室在宽带隙...
核心提示:期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告,讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题,分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。 以氧化镓、氮化铝在内...
超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN张道华深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering,...
期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告,讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题,分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。同时介绍了深圳平湖实验室在宽带隙...
期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告,讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题,分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。同时介绍了深圳平湖实验室在宽带隙...
期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告,讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题,分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。同时介绍了深圳平湖实验室在宽带隙...
期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告,讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题,分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。同时介绍了深圳平湖实验室在宽带隙...