期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告,讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题,分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。同时介绍了深圳平湖实验室在宽带隙...
期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告,讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题,分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。同时介绍了深圳平湖实验室在宽带隙...
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核心提示:期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告,讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题,分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。 以氧化镓、氮化铝在内...
超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN张道华深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering,...
张道华院士:超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究 包括氧化镓和氮化铝在内的超宽禁带半导体具有禁带宽度大,击穿电场和功率密度高,抗辐射能力强等特点,在高温、高压和高辐射等极端环境下的应用方面具有显著优势。目前超宽带隙半导体的挑战主要集中在材料性能的提升,掺杂和缺陷的调控以及成本的降低。
张道华院士:超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究 包括氧化镓和氮化铝在内的超宽禁带半导体具有禁带宽度大,击穿电场和功率密度高,抗辐射能力强等特点,在高温、高压和高辐射等极端环境下的应用方面具有显著优势。目前超宽带隙半导体的挑战主要集中在材料性能的提升,掺杂和缺陷的调控以及成本的降低。
期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告,讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题,分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。同时介绍了深圳平湖实验室在宽带隙...
【张道华院士:超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究 】近期,第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHINA2024)在苏州召开。期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告...
期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告,讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题,分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。同时介绍了深圳平湖实验室在宽带隙...