异质结材料是由两种不同元素或不同成分材料所构成的一定结型的半导体材料。结两边的导电类型由掺杂控制，掺杂类型相同的称为“同型异质结”，掺杂类型不同的称为“异型异质结”。由于结两边材料的禁带宽度和其他特性不同制作的器件可获得高放大倍数和高响应速度。可采用液相外延、气相外延、金属有机物化学气相沉积和...
本体异质结(bulk heterojunction)，是指n型半导体和p型半导体在整个区域范围内充分混合且界面分布于整个区域范围的pn结。本体异质结可通过将含有n型半导体材料和p型半导体材料的混合溶液以旋涂、丝网印刷和喷墨打印等方式制备，也可通过共同蒸镀的方式获得，还可以通过热处理的方式将真空蒸镀的平面型双层异质结转换为本体...
应变异质结的无界面失配应变层的生长模式称为赝晶生长。这种赝晶生长模式不能稳定地无限生长材料，因为随应变层厚度的增加，伴随应变的弹性能量不断积累到一定程度时，应变能量将通过在界面附近产生位错缺陷而释放出来，应变层转变为应变完全弛豫的无应变层，因此，赝晶生长存在一个临界厚度hc。实验证明赝晶生长的临界厚度...
半导体异质结是许多微电子器件和光电子器件工作的基础。如果异质结的两边掺杂情况不同，则异质结的性质也将不同。调制掺杂异质结就是在一边掺杂、另一边不掺杂的异质结；对于突变调制掺杂异质结，其中的载流子具有很多特殊的性能，在器件应用中有很大的价值。突变异质结二维电子气 对于突变异质结，由于导带底能量突变量...
硅基异质结材料是以硅为衬底的异质结材料。包括硅锗/硅、硅锗碳/硅、砷化镓/硅、镓铝砷/硅、铟镓砷磷/硅等。为硅基电子器件、光子器件以及光电子集成的材料。如Si1－xGex/Si异质结构能够提供有效的载流子注入、载流子限制和光限制等功能，为电子和光电子器件的设计和制造提供优质性能的材料储备。已制成异质结...
异质结双极晶体管（heterojunction bipolar transistor）是将双极晶体管中的发射结做成异质结形成的晶体管。物理意义 双极晶体管中的异质结界面应做成突变结才能得到最高的少子注入效率。因为异质结宽带发射极的注入效率高，所以异质结双级晶体管的放大倍数将比同类型的普通双极晶体管高。如果不要求放大倍数十分高，则异质...
异质结双极性晶体管（英语：heterojunction bipolar transistor，缩写：HBT）是双极性晶体管的一种，它的发射区和基区使用了不同的半导体材料，这样，发射结（即发射区和基区之间的PN结）就形成了一个异质结。异质结双极性晶体管比一般的双极性晶体管具有更好的高频信号特性和基区发射效率，可以在高达数百GHz的信号下...
突变异质结 突变异质结（abrupt heterojunction）是2019年公布的物理学名词。公布时间 2019年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。出处 《物理学名词》第三版。