近期,该团队首次在Ir(111)/蓝宝石异质衬底上实现了单晶金刚石(111)面的外延生长,并成功研制了尺寸为20×20×0.5 mm3(1英寸)的(111)取向异质外延单晶金刚石自支撑衬底。SEM、XRD、EBSD(图3)等材料特性表征证明金刚石(111)具有良好的...
目前金刚石与GaN 功率器件的集成通常从两方面进行，一是GaN 顶部的器件层散热，主要应用金刚石钝化散热技术，金刚石钝化散热是直接在器件顶部沉积金刚石，提高热点顶部的热扩散，同时起到增大换热面积的作用；二是GaN 底部金刚石衬底散热，主要有GaN 底部异质外延金刚石、金刚石表面异质外延GaN 和键合技术[28-30]。201...
工艺结合研究:Ahmed 等结合了GaN异质外延金刚石技术和金刚石异质外延GaN 技术,在GaN表面使用PECVD沉积一层SiNx保护层,而后使用纳米金刚石颗粒和光刻工艺相结合的方法,经过一系列过程在SiNx保护层上选择性的沉积多晶金刚石层,刻蚀掉未被金刚石覆盖的SiNx保护层部分,暴露出GaN层,之后在暴露的GaN和金刚石上层使用优化的MO...
西安交大王宏兴教授研究团队采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,历经10年潜心研发,独立自主开发了2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底,并成功实现批量化(图1)。通过对成膜均匀性、温场、流场及工艺参数的有效调控,实现了衬底表面台阶流(step-flow)生长模式,提高了异质外延单晶金刚石成品率与晶体质量。XRD(004)、...
自支撑衬底实现量产 近日，西安交大研究团队采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术，成功实现2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底的批量化。团队通过对成膜均匀性、温场及流场的有效调控，提高了异质外延单晶金刚石成品率。新一代碱基编辑技术 开发方面取得重大突破 中国科学院天津工业生物技术研究所研究员毕昌昊带领的...
国际上通常采用同质外延生长和异质外延生长两种途径来制备高质量大尺寸单晶金刚石。第一种是同质外延法。通过同质外延生长虽然可以复制衬底的晶体结构获得高质量的单晶外延层，但受到金刚石晶种尺寸的限制，难以满足半导体技术对金刚石尺寸的要求。即使基于马赛克拼接法克服了晶种尺寸的限制，但在拼接的小尺寸金刚石单晶体上...
金融界2024年12月21日消息,国家知识产权局信息显示,焦作天宝桓祥机械科技有限公司申请一项名为“一种异质外延金刚石碳化硅复合晶圆的制备方法”的专利,公开号 CN 119153319 A,申请日期为2024年9月。 专利摘要显示,本发明属于金刚石散热材料技术领域,具体公开了一种异质外延金刚石碳化硅复合晶圆的制备方法,将合成块装入...
然而,在实际中实现大尺寸异质外延金刚石仍然具有挑战性。首先,异质外延体系中的晶格失配会在体系中引入较高的位错密度,对于几百微米厚度的金刚石,通常在107-109cm-2的范围内。此外,金刚石-铱复合材料体系内的晶格失配以及由于热膨胀系数差异导致...
西安交大王宏兴教授研究团队采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,独立自主开发了2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底,并成功实现批量化。该成果入选了2024年度中国第三代半导体十大进展。金刚石作为一种“终极半导体材料”,在力、热、声、光、电等方面都具有十分优异的性能,如超宽禁带、高载流子迁移率、超高热导率...
一、金刚石异质外延生长技术的工作原理 金刚石异质外延生长技术是一种新型的金刚石合成方法,它基于化学气相沉积,在底座上制备具有优异性能的金刚石单晶薄膜。该技术利用热解气相反应在金属衬底上制备金刚石晶体,通过控制沉积参数实现具有异质结构的金刚石材料的...