随着开关频率的提高,降低变换器的开关损耗也变得极其重要。 一、 MOS管开关管损耗计算 MOS管是开关电源中常见器件之一,在评估开关电源效率的时候,对于MOS管的选型十分重要,如果选择的MOS不合适,电路该部分的发热会非常严重,影响效率。因此,在考虑到设计开关电源的效率时,MOS管的损耗是不容忽视的一部分。下面将详细计...
在使用过程中,由于电路中的电容和电感等元件的存在,会使得开关管在开关过程中产生能量损耗,即开关损耗。这种损耗会导致开关管的温度升高,甚至可能会损坏开关管。 二、驱动芯片的作用 为了避免开关管开关损耗的问题,通常会采用驱动芯片来控制开关管的开关过程。驱动芯片可以根据电路中的实际情...
功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗,即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。 栅极电荷损耗 栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg(栅极电荷总量)引起的损耗。 当MOSFET开关时,电源IC的栅极驱动器向MOSFET的寄生电容充电(向栅极注入电荷)而产生这种损耗(参见下图)。 这不仅是开关电源,也是将MOSFET用作功率开关...
减小开关驱动管的损耗主要途经是()。A.选用低导通电阻的驱动管;B.提高驱动管的驱动信号的边沿陡度;C.提高开关频率;D.A和B及减小开关频率;
充电头网了解到,镓未来G1N65系列的开关管拥有卓越的性能,包括高栅极电压阈值、坚固的栅极结构、开关速度高、卓越的耐压能力以及低导通电阻。此外,其栅极驱动电路设计非常简单,有效降低了开关损耗,显著提升了整机的效率。采用G1N65系列开关管还可以帮助厂商降低生产成本,因为只需基本的栅极驱动电路,就能提供一流的性能和可...
A、选用低导通电阻的驱动管 B、提高驱动管的驱动信号的边沿陡度 C、提高开关频率 D、减小开关频率 点击查看答案 您可能感兴趣的试卷你可能感兴趣的试题 1.多项选择题开关电源变压器的损耗主要包括()。 A、磁滞损耗 B、铜阻损耗 C、涡流损耗 D、介电损耗 点击查看答案 2.多项选择题肖特基管与快恢复管相比()...
功率开关管IGBT、MOSFET资料,包含基础知识、选择方法、参数介绍、驱动计算、损耗计算、电路设计等,非常详细,还有具体的计算过程。, 视频播放量 379、弹幕量 0、点赞数 29、投硬币枚数 14、收藏人数 26、转发人数 1, 视频作者 Jayeel_, 作者简介 ,相关视频:IGBT的开关电
摘要 本实用新型提供了一种低损耗的开关管驱动电路,包括依次连接的第一电源端、第一二极管、第一电阻和开关管,第一电源端分别经第一电容、第一电阻连接第一三极管的基极,第一电源端还分别经第二电容、第二二极管、连接第二三极管的基极,第一三极管的发射极与第二三极管的基极之间连接有第三电阻。利用第一二极管可...
摘要 主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Sepic变换器包括由输入电容Ci、电感L1、NPN型BJT管Q1、电容C、电感L2、二极管D1、二极管D和电容Co组成的Sepic变换器的主回路,还包括主开关管Q1的驱动单元。所述主开关管Q1的驱动单元由电阻R1、电阻R2、稳压管Z1和PNP型BJT管Q2组成,所述PNP型BJT管Q2的发射极与电阻R1的一...
摘要 主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Buck变换器包括由输入电容Ci、主开关管PNP型BJT管Q1、二极管D、电感L和电容Co组成的Buck变换器的主回路,还包括主开关管Q1的驱动单元。所述主开关管Q1的驱动单元由电阻R1、电阻R2、电阻R3、NPN型BJT管Q2和PNP型BJT管Q3组成,所述NPN型BJT管Q2的集电极与电阻R2的一端相连,电...