如图6所示,本发明的一种底部发射型VCSEL芯片,包括GaAs衬底100和位于GaAs衬底100一侧的外延结构,GaAs衬底100底部蚀刻有出光孔160,GaAs衬底100上于出光孔160外围蒸镀有N-contact层210,N-contact层生成使用的材料可以是但不限于AuGe和Au,外延结构包括由下至上依次沉积的N-DBR结构110、氧化层120、量
980 nm VCSEL的P型DBR设计时选择了Al0.9Ga0.1As和Al0.1Ga0.9As作为DBR的高折射率材料和低折射率材料。 然后制造由30对P型DBR和28对N型DBR组成的980 nm底部VCSEL。 在P型DBR中,渐变区域的宽度为0.02μm,均匀掺杂浓度为2.5x10(18)cm(-3)。 反射率为99.9%。 在N型DBR中,渐变区域的宽度也为0.02μm,均匀...
1) high power bottom emitting VCSEL 大功率底发射VCSEL2) VCSEL transmit VCSEL管发射3) high-power transmitting 大功率发射 1. A method of long-time working and high-power transmitting is studied and presented to improve the efficiency of wireless transmitting which is applied to emergency rescue...
【摘要】研究制作了大面积底发射氧化限制面发射激光器, 并分析了器件特性.通过增加有源区面积, 改进制作工艺,采用Al2O3作钝化膜和多层复合HfO 2作增透膜等方法,提高了激光器输出功率.分析了最大输出功率与有源区直径和注入电流之间的依赖关系.结果表明:有源区直径分别为500μm和600μm的单管, 室温下均达到连...