本发明采用有机半导体异质结作为电子注入层,解决了倒置型底发射OLED的电子注入问题,使制备的倒置型底发射OLED显示了高效率的特点,简化了器件结构和工艺。 这种倒置型底发射OLED,其特征在于:所述倒置型底发射OLED依次由衬底、阴极、有机异质结电荷产生层、电子传输层、空穴/激子阻挡层、磷光染料掺杂发光层、电子/激子阻...
本发明采用有机半导体异质结作为电子注入层,解决了倒置型底发射OLED的电子注入问题,使制备的倒置型底发射OLED显示了高效率的特点,简化了器件结构和工艺。 这种倒置型底发射OLED,其特征在于:所述倒置型底发射OLED依次由衬底、阴极、有机异质结电荷产生层、电子传输层、空穴/激子阻挡层、磷光染料掺杂发光层、电子/激子阻...
按照光线射出方式不同,OLED组件可划分为:底发射式结构(BE-OLED)、顶发射式结构(TE-OLED)。 底发射结构中发出的光只能部分地从驱动面板(TFT)上设臵的开口处射出,大部分发光都被浪费,开口率较低。顶发射器件中,光从器件的顶部出射则不受TFT的影响,开口率有效提高。 顶发射OLED对比普通底发射器件具有:提高器件发...
OLED底发射结构及其驱动方法专利信息由爱企查专利频道提供,OLED底发射结构及其驱动方法说明:本发明提供一种OLED底发射结构及其驱动方法。该OLED底发射结构包括设置在基底上的显示单元和...专利查询请上爱企查
一种底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板及其制作方法,显示装置,其中所述底发射WOLED显示面板包括基板,薄膜晶体管,WOLED彩膜层,量子点光致转换层,第一电极,WOLED电致发光功能层及第二电极.所述WOLED彩膜层依次设置红绿蓝白(RGBW)像素.所述量子点光致转换层包括对应所述红绿(RG)像素设置的量子点红绿(QDR...
最初的OLED都是底发射型器件, 器件的结构从上至下依次是: 不透明的金属阴极/有机功能层/透明阳极, 光线从阳极出射, 因而称为底发射。 在主动显示中, OLED发光器件是由薄膜晶体管(TFT)来控制的, 因此如果器件是以底发射形式出光, 光经过基板的时候就会被基板上的TFT和金属线路阻挡, 从而影响实际的发光面积。
iQOO Z9 Turbo (型号为 V2352A)通过 3C 认证,搭载 80W 原装充电器。这样的话,已经“三证齐全”(3C认证,进网许可,无线电发射设备型号许可)。爆料配置汇总6.78 英寸 OLED 直屏,2800 x 1260 分辨率,144Hz 刷新率,2160Hz PWM 高频调光,骁龙 8s Gen 3 芯片 (3.01GHz X4 + 4*2.61GHz A720 + 3*1.84GHz ...
1、X技术为发明人提供一条专利对接通道,仅2019-2021两年,通过X技术的对接,超过三百位发明人获得了收益,交易总额过三千万元人民币。对接是免费的!2、如您的专利需要与企业对接,您也对某一技术有深入研究,希望与企业技术合作,那么登记下您的联系方式。我们遇到与您相关的需求时会联系您。
一种采用Li_3N掺杂电子注入层的底发射倒置结构OLED的制备 张睿;李传南;李涛;崔国宇;侯晶莹;赵毅;刘式墉 【期刊名称】《光子学报》 【年(卷),期】2011(40)2 【摘要】采用Li3N掺杂电子注入层Alq3∶Li3N,制作了一种结构为ITO/Alq3Alq3∶Li3N/Alq3/NPB/MoO3/Al的倒置底发射有机发光器件.其中ITO玻璃作为透明阴极,...
为实现上述目的,本发明首先提供一种底发射型白光oled面板的制作方法,包括以下步骤: 步骤s1、提供衬底基板并清洗,在所述衬底基板上依次沉积红色色阻、绿色色阻、及蓝色色阻,形成彩膜层; 步骤s2、在所述彩膜层上沉积缓冲层; 步骤s3、在所述缓冲层上沉积氧化物半导体薄膜并进行图案化处理,形成氧化物半导体层; ...