且该绝缘层具有至少一凹部，使该绝缘保护层结合一形成于该凹部中的结合层，或该绝缘保护层嵌入该凹部并凸出该凹部，故于该绝缘保护层为NSMD设计时其开孔处周围的部分不会设于该绝缘层的表面上，以避免该绝缘保护层产生过大的底切结构。
底切结构测量系统和底切结构测量方法专利信息由爱企查专利频道提供,底切结构测量系统和底切结构测量方法说明:本发明提供的底切结构测量系统和底切结构测量方法,涉及半导体器件相关精密测量技术领域。其中,底切...专利查询请上爱企查
上海积塔半导体申请半导体结构相关专利，避免因相邻膜层刻蚀选择比过大形成底切结构 金融界 2024 年 9 月 10 日消息，天眼查知识产权信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构“，公开号 CN202410804692.9 ，申请日期为 2024 年 6 月 。专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构...
摘要 本实用新型公开了半导体集成电路领域内的一种缩小凸块底切的结构,包括基板,所述基板上设置有至少一个铝垫,基板表面还设置有覆盖各铝垫的保护层,保护层上对应每个铝垫均设有一个开口,每个所述开口周围的保护层上围绕开设有下沉凹槽,与所述开口相对应的铝垫上方、开口周围的保护层上方以及下沉凹槽底部均覆盖设...
【专利说明】制作具有底切侧壁的抗蚀剂结构的方法[0001]在半导体技术中,光刻用于构造要用作掩膜的光致抗蚀剂层。用通过不透光掩膜中的开口的光源辐照光致抗蚀剂层,其中,根据要转印到光致抗蚀剂层的图案来成形开口。然后,用显影液处理光致抗蚀剂。当使用正性光致抗蚀剂时,显影剂溶解并去除光致抗蚀剂的已被...
上形成绝缘保护层,该线路结构于外侧包含有绝缘层及结合该绝缘层的第一线路层,且该绝缘层具有至少一凹部,使该绝缘保护层结合一形成于该凹部中的结合层,或该绝缘保护层嵌入该凹部并凸出该凹部,故于该绝缘保护层为NSMD设计时其开孔处周围的部分不会设于该绝缘层的表面上,以避免该绝缘保护层产生过大的底切结构...
零件评审问题-一般信息分型线结构底切.pdf,Model: Part review questions: - Part general information 概述 - Parting line 分模线 - Part structure (undercut..) 产品结构(倒扣…) - Draft (出模斜度) - Gate (入水) - Ejection (顶出) - Mold layout (排位) Wellmei Mol
本发明提供的底切结构测量系统和底切结构测量方法,涉及半导体器件相关精密测量技术领域.其中,底切结构测量系统包括:光源,用于提供对待测部件进行扫描的扫描光束;光强探测器,该光强探测器设置于经待测部件的各位置反射的反射光束的传输路径上,以感应反射光束得到对应的光强信号;电子设备,该电子设备与光强探测器连接,用于获...
本实用新型公开了一种改进的铝合金车轮底切减重加亮结构,在铝合金车轮上设置底切结构,所述底切结构设置在轮辐的背面,且底切结构沿着轮辐与轮辋的结合处设置;所述底切结构为凹槽结构.与普通的车轮结构相比,底切结构可以很好地减轻车轮的重量,同时还可以通过车亮底切结构的表面,使底切部位显示出铝合金的亮色效果,在...
本实用新型公开了半导体集成电路领域内的一种缩小凸块底切的结构,包括基板,所述基板上设置有至少一个铝垫,基板表面还设置有覆盖各铝垫的保护层,保护层上对应每个铝垫均设有一个开口,每个所述开口周围的保护层上围绕开设有下沉凹槽,与所述开口相对应的铝垫上方、开口周围的保护层上方以及下沉凹槽底部均覆盖设置有阻...