[0012]—般来说,本发明涉及在应变松弛缓冲(strain-relaxedbuffer;SRB)层上方形成外延生长半导体材料的各种方法。这里所揭露的一种示例方法包括:除其它以外,执行多个外延沉积制程,以顺序形成位于半导体衬底上的第一材料层、位于该第一材料层上的第一覆盖层、位于该第一覆盖层上的第二材料层、以及位于该第二材料层上...
本发明揭示一种在应变松弛缓冲层上方形成应变外延半导体材料的方法。其中,这里所揭露的一种示例方法包括:除其它以外,在衬底上方顺序形成第一材料层、第一覆盖层、第二材料层以及第二覆盖层,其中,该第一及第二材料层由半导体材料制成,该半导体材料所具有的晶格常数不同于该衬底,该第一材料层于沉积时应变,且该第一...
[0012]—般来说,本发明涉及在应变松弛缓冲(strain-relaxedbuffer;SRB)层上方形成外延生长半导体材料的各种方法。这里所揭露的一种示例方法包括:除其它以外,执行多个外延沉积制程,以顺序形成位于半导体衬底上的第一材料层、位于该第一材料层上的第一覆盖层、位于该第一覆盖层上的第二材料层、以及位于该第二材料层上...