应变对In_xGa_(1-x)As能带结构的影响
结果表明,InxGa1-xAs所受应变与In组分近似为线性关系;在应变的影响下材料带隙变大,价带能级产生分裂。利用合金组分的变化与InGaAs带隙的变化关系,可实现对材料带隙的调节,对器件的研究设计提供参考。姚丽大理学院学报:综合版应变对InxGa1-xAs能带结构的影响[J]. 姚丽.大理学院学报. 2012(04)...
本工作拟通过对二硫化钼单层施加双轴拉伸应变,从而调节其电子能带结构带隙大小,进而影响其他相关性能。能带理论是一种单电子近似理论,常用于研究晶体材料的电子能带结构,而由于其近似性,使得其结果对于实验结果的指导性参考价值有待商榷。为了准确地验证我们的猜测,利用研究多电子体系结构的密度泛函理论(Density Functional ...
对于实际应用来说,光子晶体的能带结构是一个更加重要的问题,而此方面的研究还较少。本文利用平面波展开法,对应变后的二维蜂巢晶格光子能带做了数值计算,着重于讨论应变程度对二维蜂巢光子晶体能带结构的影响,尤其是带隙宽度随应变程度的变化。 求解光子晶体能带结构的基本方程为[1]: 上式中ε(r)是以空间位置为...
管,在应变改变的情况下其能带的结构,发现应变不但可以改变能带宽度,还能引发 直接带隙到间接带隙的相变。 通常,外加电场可以改变半导体纳米材料的电子结构。例如:电场对Si纳米线 和AIN纳米薄片的能带结构,胶状CdSe量子棒的电子和空位的基态都有明显的作用。
本文报道弹性应变及结构参数对 InAs/GaAs应变层超晶格导带、价带不连续性及其子能带结构的影响.通过分析流体静应力和单轴应力对体材料带边能带位置的影响,确定了 InAs/GaAs超晶格导带及价带能量不连续性,并用包络函数法计算了该超晶格的子能带结构.结果表明:这些量不仅依赖于 ...
弹性应变及结构参数对InAsGaAs应变层超晶格能带结构的影响,弹性应变及结构参数对InAsGaAs应变层超晶格能带结构的影响结构,参数,能带,InAs,应变超晶格,超晶格,能带结..
应变能带结构光学性质C第一性原理采用第一性原理赝势平面波方法对(100)应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算.计算结果表明:(100)面在晶格发生100%～116%张应变时,带隙随着应变增加而减小;在晶格发生96%～100%压应变时,带隙随着张应变的增加而增加;88%～96%压应变时,带隙随着压应变的...
本研究采用平面波超软赝势方法探索了平面应变对二维单层MoSi_(2)N_(4)能带结构和光电性质的影响,发现单层MoSi_(2)N_(4)为间接带隙半导体,其价带顶由Mo4d轨道和部分N2p轨道杂化而成,导带底则均由Mo4d轨道组成。在拉应变作用下,单层MoSi_(2)N_(4)的带隙逐渐变窄且光生载流子的有效质量不断减小;在压应变...
通过分析流体静应力和单轴应力对体材料带边能带位置的影响,确定了 InAs/GaAs超晶格导带及价带能量不连续性,并用包络函数法计算了该超晶格的子能带结构.结果表明:这些量不仅依赖于组成超晶格的两种材料的体性质,而且还依赖于超晶格的晶格常数,势阱、势垒宽度以及材料的应变;通过调节InAs层与 GaAs层的层厚之比,可以...