结果表明,InxGa1-xAs所受应变与In组分近似为线性关系;在应变的影响下材料带隙变大,价带能级产生分裂。利用合金组分的变化与InGaAs带隙的变化关系,可实现对材料带隙的调节,对器件的研究设计提供参考。姚丽大理学院学报:综合版应变对InxGa1-xAs能带结构的影响[J]. 姚丽.大理学院学报. 2012(04)...
应变对In_xGa_(1-x)As能带结构的影响
不同, 导致许多残留应变产生, 这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能。从理论上分析了在赝形 应变下AlGaN 的能带结构和弯曲系数, 并通过对Alx Ga1- x N 能带间隙的理论结果和实验结果分 析比较, 得出的能带间隙的弯曲系数与已有文献报道的实验结果相吻合。
对于实际应用来说,光子晶体的能带结构是一个更加重要的问题,而此方面的研究还较少。本文利用平面波展开法,对应变后的二维蜂巢晶格光子能带做了数值计算,着重于讨论应变程度对二维蜂巢光子晶体能带结构的影响,尤其是带隙宽度随应变程度的变化。 求解光子晶体能带结构的基本方程为[1]: 上式中ε(r)是以空间位置为...
本工作拟通过对二硫化钼单层施加双轴拉伸应变,从而调节其电子能带结构带隙大小,进而影响其他相关性能。能带理论是一种单电子近似理论,常用于研究晶体材料的电子能带结构,而由于其近似性,使得其结果对于实验结果的指导性参考价值有待商榷。为了准确地验证我们的猜测,利用研究多电子体系结构的密度泛函理论(Density Functional ...
4尺寸、应变和电场对一维纳米结构能带的影响Size,strainandelectronfieldmodulatedbandgapofInDnanostructures博士后姓名 **站(一级学科)名称李爽物理学专业(二级学科)名称材料物理研究工作起始时间2008年8月研究工作期满时间2010年7月中山大学2010年6月 ———。。。●___。一 。近些年来一直一维纳米结构,不管纳米线还是...
采用第一性原理赝势平面波方法对(111)应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算,全面分析了应变对其能带结构,光学性质的影响.计算结果表明:在-8%～0%压应变范围内,随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动,价带向高能方向移动,带隙逐渐减小,但始终为直接带隙;在O%～2%张应变范围内,随着应变的增...
本研究采用平面波超软赝势方法探索了平面应变对二维单层MoSi_(2)N_(4)能带结构和光电性质的影响,发现单层MoSi_(2)N_(4)为间接带隙半导体,其价带顶由Mo4d轨道和部分N2p轨道杂化而成,导带底则均由Mo4d轨道组成。在拉应变作用下,单层MoSi_(2)N_(4)的带隙逐渐变窄且光生载流子的有效质量不断减小;在压应变...
为了研究(001)应变对正交相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质的影响,采用第一性原理贋势平面波方法对(001)应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行了模拟计算.计算结果表明:晶格(001)面发生100%~116%张应变时,带隙随着应变增加而减小;在晶格发生88%~100%压应变时,带隙随着张应变的增加而增加;84%~...
应变能带结构光学性质C第一性原理采用第一性原理赝势平面波方法对(100)应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算.计算结果表明:(100)面在晶格发生100%～116%张应变时,带隙随着应变增加而减小;在晶格发生96%～100%压应变时,带隙随着张应变的增加而增加;88%～96%压应变时,带隙随着压应变的...