一块有杂质补偿的硅材料,已知掺入受主密度NA=1×1015/cm3,室温下测得其EF恰好与施主能级重合,并得知平衡电子密度为n0=5×1015/cm3。已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5×1010/cm3,试求:1)平衡少子密度? 2)掺入材料中的施主杂质密度? 3)电离杂质密度和中性杂质密度?
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本文分析了追求能源转换效率在节能、采集/处理成本和机柜/工厂车间利用率中所占百分比的实际成本,并与增加功率密度和系统效率进行了比较。 最大化效率与成本 在电力电子领域,效率是一个很容易被概念化的术语——100%就是好,0%就是差。但这与你所占的角度有关,例如,对于数据中心而言,其整体电力效率近乎为零,也就...
一块有杂质补偿的硅材料,已知掺入受主密度NA=1×1015cm2,室温下测其费米能级,恰好与施主能级重合,并得知平衡电子密度为n0=5×1015cm3,已知室温下硅的本征载流子密度为n=1.5×1015cm3,试求: (1)平衡少子的密度 (2)材料中施主杂质的密度 (3)电离杂质和中性杂质的密度 相关知识点: 试题来源: 解析 反...
一块有杂质补偿的硅材料,已知掺入受主密度I/0,室温下测其费米能级,恰好与施主能级重合,并得知平衡电子密度为I/0,已知室温下硅的本征载流子密度为I/0,试求:(1)平衡少子的密度(2)材料中施主杂质的密度(3)电离杂质和中性杂质的密度 相关知识点: 试题来源: 解析 解:①由I/0,I/0②补偿型n型半导体,杂质...
对非简并半导体证明其热平衡电子和空穴密度也可用本征载流子密度ni和本征费米能级Ei表示为; y_1=0,ω_1,ω_2((k_2-3_y)/2)
热平衡状态下,某半导体的p=1016cm-3、ni=1.5×1010cm-3,少子寿命为2×10-7s。(a)确定电子的热平衡复合率。(b)如果额外电子的密度△n = 1012cm-3,那么电子的复合率改变了多少? 相关知识点: 试题来源: 解析 解:(a)由热平衡态电子密度和空穴密度的乘积关系可以算出 故电子的热平衡复合率 根据复合率...
已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5′1010cm-3,试求掺磷浓度为1.5′1013cm-3,掺硼浓度为1.0′1013cm-3的硅样品在室温热平衡状态下的电子密度n0、空穴密度p0和费米能级的位置(Ec-EF)。已知此时硅中杂质原子已全部电离,硅的导带底和价带顶有效态密度分别为2.8′1019cm-3和1.1′1019cm-3。() ...
平衡密度 6) average electron density 平均电子密度 1. With Gaussian electron density profile of the femtosecond laser plasma channels, We modified theaverage electron densityin the channel in Ref. 在飞秒激光等离子体通道中的电子密度分布近似为高斯分布的基础上,对文献[5]中所得到的激光等离子体通道中的...
1、 温差电势是指两种不同的导体接触时,因各自的电子密度不同而产生电子扩散,当达到动平衡后所形成的电势。 A 对 B 错