【解析】【解析】:用公式 C=Q/U C=(εS)/(4πkd) E=U/d分析平行板电容两板间场强的变化。故答案为 C=Q/U = C=(εS)/(4πkd) = E=U/d【电容的定义】电容器所带的电荷量Q与电容器两极板间的电势差U的比值.【电容的定义式】.【电容的物理意义】表示电容器储存电荷的本领大小的物理量.【电容...
根据高斯定理,平行板电容器中场强的计算公式如下: E = σ / ε 其中,E表示电场的强度,σ表示平行板电容器上的电荷密度,ε表示真空介质的介电常数。 在电学中,介电常数(又称电容率)是表示一种物质中电场的反映,是介质相对真空的电容率,通常用 εr 表示。 三、平行板电容器场强公式的...
综上所述,我们可以得到平行板电容器中场强的公式: E A = (1/ε0) Q 进一步整理,我们可以得到: E = (Q / (ε0 A)) 这就是平行板电容器中场强的公式。 应用到高斯定理 我们已经推导出了平行板电容器中场强的公式。现在我们将其应用到高斯定理中,以验证我们的推导是否正确。 根据高斯定理,通过一个封闭...
平行板电容器的电场强度是E=4πkσ／s。根据高斯定理，得E=σ／εs，又因为k=1/4πε，即得E=4πkσ／s。只要你把高斯定理给理解了很容易就能推出来了。公式 平行板电容器的电容量是随两板的相对面积和两板间的距离的变化而变化的。并且与两板间的电介质有关。那么，平行板电容器的电容量...
2.理论依据:(1)电容器电容的定义式(2)平行板电容器内部的场强公式(3)平行板电容器电容的决定式 相关知识点: 试题来源: 解析 2.理论依据(1)电容器电容的定义式:c C=Q/U(2)平行板电容器内部的场强公式:(3)平行板电容器电容的决定式C=(ε_rS)/(4πkd) ...
首先令平板电容器由两个彼此靠得很近的平行极板(设为A和B)所组成，两极板的面积均为S，设两极板分别带有+Q,-Q的电荷。每块极板的电荷密度为σ=Q/S，除去极板的边缘效应，所以可以将板间的电场看成是均匀电场 则由高斯定理得两板间场强为E=σ/ε。由S/d即平板电容公式可得出C=S/4πkd。
题目用公式___分析平行板电容两板间场强的变化。 相关知识点: 试题来源: 解析 用公式C=Q/U;C=(εS)/(4πkd);E=U/d -|||-d分析平行板电容两板间场强的变化。 故答案为:C=Q/U;C=(εS)/(4πkd);E=U/d -|||-d 反馈 收藏
解答一 举报 根据高斯定理,得E=σ/εs,又因为k=1/4πε,即得E=4πkσ/s.只要你把高斯定理给理解了很容易就能推出来了,至于高斯定理的理解,你就好好看书吧. 解析看不懂?免费查看同类题视频解析查看解答 相似问题 为什么平行板电容器间场强大小决定于极板电荷的面密度? 平行板电容 场强不变? 平行板电容器...
匀强电场场强：E=U/d ① 电容的定义式：C=Q/U ② 对于平行板电容器：C=εS/4πkd ③ 由②③可得：Q/U=εS/4πkd ④ 从④式可以看出：Q不变时，U/d=4πkQ/εS 不变，即场强 E=U/d 不变；从①式直接就可以知道：U不变时，d越大，场强E越小。从④式也可看出：U...
2. 理论依据:(1)电容器电容的定义式:$$ C = \frac { Q } { U } 。 $$(2)平行板电容器内部的场强公式:$$ E = \frac { U } { d } 。 $$(3)平行板电容器电容的决定式:$$ C = \frac { \varepsilon _ { r } S } { 4 \pi k d } 。 $$ 相关知识点: 试题来源: ...