干氧法广泛应用于半导体工艺中,尤其是在制造CMOS器件中广泛使用。制造CMOS器件中,需要在硅片表面制作出一层氧化层,用作电介质层,干氧法制氧化膜可以提高器件性能和可靠性。 【结论】 干氧法制氧化膜是半导体工艺中常见的薄膜制备方法之一。相比湿氧法,它具有良率高、均匀度高、适用范围广...
单选 干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有()。 A. 生长出的二氧化硅中引入很多可动离子 B. 氧化的速度慢 C. 生长的二氧化硅缺陷多 D. 生长的二氧化硅薄膜钝化效果差 答案: B©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
干法氧化工艺和湿法氧化工艺是两种不同的氧化方式。干法氧化是指将被氧化的物质直接暴露在空气中进行氧化反应,而湿法则是将被氧化的物质与氧化剂在液相中反应。两种工艺各有优劣,具体情况需根据实际需求进行选择。 二、不同的反应机制 干法氧化工艺中,被氧化物质与空气中的氧气直接接触发生氧化反应。这...
百度试题 结果1 题目单选 干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有()。 A. 生长出的二氧化硅中引入很多可动离子 B. 氧化的速度慢 C. 生长的二氧化硅缺陷多 D. 生长的二氧化硅薄膜钝化效果差 相关知识点: 试题来源: 解析 B 反馈 收藏
改良的湿法-干法氧化法的具体操作是什么?相关知识点: 试题来源: 解析 1、在100℃或微波炉中蒸干 2、电炉上加热到停止冒烟(炭化) 3、525℃灰化3~5小时 4、冷却,用蒸馏水湿润,加0.3~0.5ml的硝酸溶解 5、在电炉或蒸汽炉上蒸干,在525℃条件下灰化1~2小时 6、在干燥器中冷却后,称重 7、如果仍有炭化物,...
1. 温度控制:在干氧化过程中,温度通常设置在900℃至1200℃之间。过高的温度可能导致硅片变形或氧化膜质量下降,而过低的温度则会影响氧化速率。因此,精确控制温度是确保干氧化处理效果的关键。 2. 气氛调节:氧化炉内的气氛通常由高纯氧气和惰性气体(如氮气或氩气)组成。通过调节氧气和惰性气体...
其中最常用的方法是热氧化方法,在高温下形成均匀而且薄薄的硅氧化膜。这些热氧化方法根据用于氧化反应的气体可分为湿法氧化和干法氧化。1、干法氧化(Dry Oxidation):由于干式氧化只利用纯氧,氧化膜生长速度慢,主要用于形成薄膜;生长速度较慢时之所以有利于形成薄膜,是因为生长速度越慢,越容易控制膜的厚度。干法氧化可以...
干法氧化和湿法氧化的主要区别如下：氧化介质不同：干法氧化：通常使用空气或纯氧气进行氧化。湿法氧化：使用氧气或臭氧水溶液，有时也通过其他水溶液如氢氧化钠溶液或硝酸等进行氧化。反应速率不同：干法氧化：相对较慢，需要更长时间才能达到预期的氧化效果。湿法氧化：可以在较短的时间内达到氧化效果，反应...
1【题目】(5)电化学干法氧化法脱除 H_2S 的原理如图所示。阳极发生的电极反应为阴极上COS发生的电极反应为N2、CO2、CO、H2ON2、CO2、COH2、H2S、COSH2O、H2多孔阴极-Na2S、KS混合物多孔阳极N2S2N2工作温度700~1000℃ 2【题目】(5)电化学干法氧化法脱除 H_2S 的原理如图所示。阳极发生的电极反应为阴极上COS...
热氧化法生长1000Å厚的氧化层,工艺条件:1000℃,干氧氧化,无初始氧化层,试问氧化工艺需多长时间? 解: 氧化层生长厚度与生长时间之间的关系式为已知,1000℃,干氧氧化查表4-2,可知,, 所以相关知识点: 试题来源: 解析 简述表征光刻胶特性、性能和质量的参数。 答:表征光刻胶性质的量有下面几个:...