近日,徐州立羽高科技有限责任公司获得了一项名为“一种常关型Emode HEMT器件及制备方法”的专利,授权公告号为CN118610250B,申请日期为2024年8月。这项技术的获批标志着徐州立羽在高性能半导体领域的又一重要进展,预计将推动行业技术的进一步发展。 常关型Emode HEMT(高电子迁移率晶体管)器件是一种新型的半导体器件...
徐州立羽取得一种常关型 Emode HEMT 器件及制备方法专利 金融界 2024 年 11 月 6 日消息，国家知识产权局信息显示，徐州立羽高科技有限责任公司取得一项名为“一种常关型 Emode HEMT 器件及制备方法”的专利，授权公告号 CN 118610250 B，申请日期为 2024 年 8 月。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
金融界 2024 年 11 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市港祥辉电子有限公司申请一项名为“一种纵向常关型 GaN 复合型 JFET 器件及其制备方法”的专利，公开号 CN 118888573 A，申请日期为 2024 年 10 月。专利摘要显示，本发明公开了一种纵向常关型 GaN 复合型 JFET 器件及其制备方法，涉及半导体技术...
46501515315 微博QQQQ空间 微信扫一扫分享 稿件投诉 日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。敖金平博士1989年毕 展开更多 limit发消息 分享知识,共同成长。把复杂的事情掰扯明白! 关注1万
增强型GaN确实是一种单芯片式常关型器件。但是,为了让增强型GaN晶体管在所有工作模式下都正常工作,需要很多无源组件的支持,有时还需要有源器件(如MOSFET)。 驱动增强型器件需要额外的栅极电路、保护和启动电路,将增加出现故障的机会,这与它被公认的简单性背道而驰。
一种常关型GaN/AlGaNHEMT器件及其制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种常关型GaN/AlGaNHEMT器件及其制备方法说明:本发明属于半导体工艺和器件领域,公开了一种常关型GaN/AlGaN...专利查询请上爱企查
深圳市港祥辉电子取得纵向常关型GaN复合型JFET器件及其制备方法专利 |快报 返回搜狐,查看更多 平台声明:该文观点仅代表作者本人,搜狐号系信息发布平台,搜狐仅提供信息存储空间服务。
1.本发明属于微电子技术领域,特别涉及一种常关型沟道调制器件,可用于作为电力电子系统的基本器件。 技术背景 2.当前,大力研发高性能、高可靠性的功率开关器件,以显著提升电力电子系统的效率和整体性能,是助力节能减排和绿色发展战略实施的有效途径之一。传统的硅基功率开关器件由于受到硅材料本身的限制,其性能已趋近理论...
[0017]一种所述纵向导通的GaN常关型MISFET器件的制作方法,包括以下步骤: 51、在导电GaN衬底上一次外延生长η型轻掺杂GaN层; 52、在η型轻掺杂GaN层上生长一层S1jl,作为掩膜层; 53、通过光刻的方法,保留形成栅极区域之上的掩膜层; 54、选择区域二次外延生长第一杂质过滤层、电子阻挡层、第二杂质过滤层、非掺杂...
根据该协议,在将松下常关型(增强型)硅基氮化镓(GaN)晶体管结构集成到英飞凌表面贴装器件(SMD)封装内的基础上,双方将联手开发氮化镓(GaN)器件。出于这一原因,松下为英飞凌颁发了松下常关型GaN晶体管结构的许可证。该协议将有助于这两家公司制造高性能GaN器件。兼容性封装的GaN电源开关(目前任何其他硅基GaN器件都...