日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。敖金平博士1989年毕 展开更多0 条评论limit发消息 分享知识,共同成长。把复杂的事情掰扯明白! 关注1万相关推荐05:18 对话ULVAC集团执行董事、中国区总裁杨秉君博士:详解ULVAC强大实力与本土化
增强型GaN确实是一种单芯片式常关型器件。但是,为了让增强型GaN晶体管在所有工作模式下都正常工作,需要很多无源组件的支持,有时还需要有源器件(如MOSFET)。 驱动增强型器件需要额外的栅极电路、保护和启动电路,将增加出现故障的机会,这与它被公认的简单性背道而驰。 相较之下,双芯片式常关型GaN FET则没有这样的...
徐州立羽取得一种常关型 Emode HEMT 器件及制备方法专利 金融界 2024 年 11 月 6 日消息，国家知识产权局信息显示，徐州立羽高科技有限责任公司取得一项名为“一种常关型 Emode HEMT 器件及制备方法”的专利，授权公告号 CN 118610250 B，申请日期为 2024 年 8 月。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
专利摘要:本发明公开了一种纵向常关型GaN复合型JFET器件及其制备方法,涉及半导体技术领域,包括漏极金属,所述漏极金属的上方依次设置有n型SiC衬底、n型GaN、第一p型GaN、GaN沟道层、AlGaN势垒层、第二p型GaN、栅极金属、隔离介质以及源极金属。通过采用纵向结构实现了高耐压特性,超过传统横向GaNHEMT器件,器件在正常导...
本发明涉及一种横向导通的GaN常关型MISFET器件,该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层以及栅极、源极、漏极、绝缘层。所述外延层包括一次外延生长的应力缓冲层及GaN外延层,以及其上的选择区域生长的二次外延层,所述二次外延层自下至上为杂质过滤层、非掺杂外延GaN层和异质结构势垒层,二次外延生长形成凹槽沟道,凹槽...
专利权项:1.一种III族氮化物凹槽栅常关型P沟道HEMT器件,其特征在于包括依次层叠的第一半导体、第二半导体和第三半导体,所述第二半导体分别与第一半导体、第三半导体配合形成第一异质结、第二异质结,其中第三半导体为P型半导体,并且第一半导体的带隙>第二半导体的带隙>第三半导体的带隙;所述第一异质结、第二异质...
“一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法”专利由刘扬、 何亮、 杨帆、 姚尧、 倪毅强共同发明。本发明涉及一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法,外延层包括一次外延生长的n型轻掺杂GaN层和其上的选择区域生长的二次外延层,所述二次外延层自下至上为第
增强型器件,如增强型MOS场效应管(MOSFET),是电子领域中常用的一种元器件。它们的工作状态——常开或常关——取决于其类型和工作条件。 一、增强型MOSFET的基本工作原理 增强型MOSFET是一种电压控制型器件,其工作状态(导通或截止)由栅极电压控制。当栅极电压达到一定阈值时,器件会导通;反之,则处于截...
显著降低了势垒层刻蚀对晶格结构的损伤,在硅衬底的AlGaN/GaN异质结外延片上制成了常关型的场效应晶体管,该晶体管以Al203作为栅介质层,阈值电压达到1.98V,栅压为0V时的沟道电流为10-5mA/mm量级,实现了真正的增强型器件.栅漏间距30μm的器件在栅压为6V时器件饱和输出电流为283mA/mm,关态耐压在lmA/mm定义...
近日,徐州立羽高科技有限责任公司获得了一项名为“一种常关型Emode HEMT器件及制备方法”的专利,授权公告号为CN118610250B,申请日期为2024年8月。这项技术的获批标志着徐州立羽在高性能半导体领域的又一重要进展,预计将推动行业技术的进一步发展。 常关型Emode HEMT(高电子迁移率晶体管)器件是一种新型的半导体器件...