没有关系。两者属于不同的物理层级，没有联系。光子带隙是指某一频率范围的波不能在此周期性结构中传播，即这种结构本身存在“禁带”；激发态一般是指电子激发态，气体受热时分子动能增加，液体和固体受热时分子振动能增加，但没有电子被激发，这些状态都不是激发态。
直接带隙半导体确实较容易激发。这类半导体由于其独特的能带结构,电子能直接从价带跃迁到导带,无需声子辅助,因此激发效率更高。店内提供的氯化锂试剂,虽非半导体材料,但其在化学领域的精准应用也体现了类似的高效性。该试剂品牌为天津,含量高达99%,分析纯AR级别,CAS号7447-41-8,适用于多种助剂用途。我们专注于提供...
808近红外光能激发带隙1.3eV。根据查询相关资料信息，808近红外光为N型半导体硫化铋（Bi2S3），带隙较窄，为1.3eV，对应波长为950nm。具有高的近红外吸收系数，因此可以被808nm激光激发。
这个基本理论框架下,激发波长小于带隙的情况似乎违背物理规律。实际研究中确实存在这类特殊现象,主要源于材料体系中的缺陷态分布。以氧化锌纳米颗粒为例,其带隙对应波长约在375nm附近,但在实验观测中常发现使用405nm激光(对应波长大于带隙)仍能激发明显荧光,这种现象被证实与材料表面的氧空位缺陷密切相关。 表面工程对...
方案一:采用双探针荧光增强策略设计了NIR-II激发的超亮D-A-D基CSM纳米剂,用于单光子1064 nm触发的NIR-II光治疗。a)合理带隙调制的分子工程。b)脂质嵌入对抗荧光猝灭。 在本研究中,使用了一种双管荧光增强策略来设计第一个实例,即NIR-II激发的超亮D-A-D基CSM纳米剂,用于单光子1064nm触发的高分辨率NIR-IIFI...
一、直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。二、间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。三、间接带隙...
我获得了一种物质，想知道它的带隙，目前只知道激发谱和发光谱，如何利用激发谱和发光谱判断带隙？谢谢...
激发波长是指材料在受到光照时,能够吸收并转化为电能的光的波长。对于窄带隙钙钛矿材料而言,其激发波长通常位于可见光范围内,这使得这类材料能够充分利用太阳光中的大部分能量。激发波长的具体数值取决于材料的组成和结构设计,因此不同类型的窄带...
在不同的激光激发能量下,从2.33 eV到近红外1.16 eV。1.16 eV激发能量下的拉曼光谱表明,与一阶声子模式相比,高阶模式的强度会因与MoSe的共振效应而得到强烈增强。2 2 间接带隙。通过将实验结果与用密度泛函理论计算的双声子状态密度进行比较,我们表明高阶模态主要起源于动量相反的双声子模态。特别是,我们确定了声子模...
宽带半导体只能被能量大于其带隙能的紫外光激发, 而窄带半导体被透过的能量小于宽带半导体带隙同时大于窄带半导体带隙的光( 主要是可见光) 激发选择语言:从 到 翻译结果1翻译结果2 翻译结果3翻译结果4翻译结果5 翻译结果1复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 Broadband semiconductor only energy than the band gap ...