式中,m≈1.5,Eg=1.12eV是硅的带隙能量。当VBE≈750mV,T=300K时,∂VBE/∂T≈−1.5mV/∘C 从式中可见VBE电压的温度系数本身与温度有关,因此如果正温度系数是一个固定值,与温度无关,那么在带隙电压基准中的温度补偿就会出现误差。这也是在后文中,只能使得基准电压在一个温度点上获得零温度系数的原因。
带隙基准源的核心思想是利用三极管的基极-发射极电压(VBE)的负温度系数和不同电流下的VBE差值的正温度系数,通过巧妙的设计,使得最终的基准电压对温度不敏感。具体来说,单个三极管的VBE呈负温度系数,而两个三极管流过不同电流时的VBE差值(△VBE)呈正温度系数。通过合理的电路设计,可以将这两个温度系数相互抵消,从而...
本文设计了一款高性能的基准电路,具有较小的温度系数,同时在2.3～6.5V的电源电压范围内具有较低的功耗和较高的电源电压抑制特性,适用于各类对精度要求较高且功耗低的集成电路芯片。 1基准工作的基本原理 图1为典型的与温度无关的带隙基准电路架构图。它的原理就是利用三极管基极-发射极电压△VBE的负温度系数和两...
在本设计中,针对Vbe的高阶温度特性进行了补偿,并通过引用共源共栅和反馈电路来优化带隙电路的电源电压抑制特性。 1.2 高性能带隙基准电路 该设计的完整电路如图2所示,M6～M16电容C和电阻R4构成运算放大器;M1～M5为放大器提供所需要的偏置电流;基本带隙部分由M13～M18, Q1～Q3以及R1和R2组成;M19,M20,R3构成二次...
带隙基准电压源的基本原理是利用双极型晶体管基区一发射区电压VBE具有的负温度系数,而不同电流密度偏置下的两个基区一发射区的电压差△VBE具有正的温度系数的特性,将这两个电压线性叠加从而获得低温度系数的基准电压源。 利用VBE的负温度系数和△VBE的正温度系数,就可设计出零温度系数的基准电压源。即VBEF=α1VBE...
cmos带隙基准源设计电路 为了得到较低的输出电压,在两个晶体管支路上分别并联一个电阻,根据此原理,设计电路图[3]如图2所示。 三个PMOS管为同样宽长的MOS管,均处于饱和工作状态,根据镜像原理有: 由式(7)可以看出,调节R2/R1与R2/R0的值,就可以得到零温度系数的电压输出值。虽然电阻本身也具有温度系数,但在此电...
基准带隙电压源电路设计 一、 基准带隙电压源电路的核心在于利用双极型晶体管的温度特性实现电压补偿。通过将具有负温度系数的基极-发射极电压(VBE)与正温度系数的热电压(VT)按特定比例叠加,可获得接近零温度系数的基准电压。典型电路由运算放大器、双极晶体管对和精密电阻网络构成,其中运放作为误差放大器确保节点电压...
0.18um工艺的低功耗带隙基准源设计 沈阳化工大学 王 健 石运栋 图1 带隙基准核心电路 1 带隙基准电路工作原理 在传统的带隙基准电路设计中，其一般输出电压Vref 会稳定在1.2V 上下浮动，而其所用电路产生的Vref 是通过两个正负电压相抵消来具体实现的。在保证MOS 管正常工作的状态下，将所产生的正负...
带隙基准源设计:(1)基于电阻、BJT、MOSFET 实现与电源电压无关的基准 3161 2 01:37:58 App 带隙基准源设计实例:(2)电平转换电路设计流程 5666 4 22:00 App 带隙基准源设计:(5)PTAT、CTAT 电流的产生及带隙基准的构成方案 3412 1 22:10 App 带隙基准源设计:(2)基于 Widler 电流镜等实现与电源电压...
带隙基准源设计:(2)基于 Widler 电流镜等实现与电源电压无关的基准 4653 6 16:01 App 带隙基准源设计实例:(0)低噪、低温漂 BGR 设计预告 4595 2 49:53 App 带隙基准源设计实例:(1)BGR 设计需求及总体架构 5544 4 22:00 App 带隙基准源设计:(5)PTAT、CTAT 电流的产生及带隙基准的构成方案 3065 ...