通过在输入端施加直流(DC)激励源,并调整激励源的电压进行DC sweep,可以观察到激励源上的电流变化。电流与0的交点数量就是简并点的数量。通常情况下,理想的带隙基准源应该只有一个简并点。然而,如果仿真结果显示有三个简并点,这可能是由以下原因造成的: 电流注入问题:用于退出启动的电流可能注入了bandgap核心,导致...
准电压源和基准电流源两者并不孤立,电压基准可以转换为电流基准,电流基准也可以转换为电压基准。 1 带隙基准电压源的基本原理 带隙基准电压源的基本原理是利用双极型晶体管基区一发射区电压VBE具有的负温度系数,而不同电流密度偏置下的两个基区一发射区的电压差△VBE具有正的温度系数的特性,将这两个电压线性叠加从...
式(5)中方括号内是约为1.25 V的一阶温度无关基准电压,通过调节R2/R0的比值,可以得到不同大小的基准电压。 2 电路结构及原理分析 图2为本文设计的基准源整体电路图,包含带隙核心电路、反馈补偿电路和启动电路。其中虚框a为带隙核心电路,虚框b为偏置及反馈补偿电路,虚框c为基准源启动电路。 2.1 带隙核心电路 图...
PNP-BJT电学性能:峰值集电极电流密度为2.589×10-5A/μm;峰值电流增益为72.97;峰值特征频率为1.79GHz。在PNP-BJT中提取出结构参数、电学参数,应用于SPICE仿真。图2 为仿真得到的PNP-BJT电学性能。 集成器件NMOSFET(M1、M2)结构参数:NMOSFET宽度1.2μm,衬底厚度5μm。衬底晶向<100>,硼掺杂浓度为1×1014cm-3。栅...
http ：//www.cicmag.com 带隙基准的误差源分析和仿真 余佳1，文钧1，刘喆秋2，刘连杰2 1.南京芯思科技有限公司；2.南京观海微电子有限公司 摘要：带隙基准在集成电路的模拟、数字或混合信号构件等电路中有着很高的精度和温度独立性，如A/D 转换器、滤波器、闪存控制等[1]。本文通过简单的理论分析,阐明了一...
第4页/共36页芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例:基于CadenceIC6178.1.1带隙基准源性能参数温度系数(TemperatureCoefficient,TC)是用来衡量基准源输出信号随温度变化的性能参数。芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例:基于CadenceIC617第5页/共36页(单位:ppm/℃)式中,TC是温度系数,Vmax和Vmin分别是...
隙基准电压源的设计与仿真的背景与意义基准电压源概述基准电路包括基准电压源和基准电流源,在电路中提供电压基准和电流基准,是模拟集成电路和混合集成电路中非常重要的模块 [1]0随着集成电路规模的不断增大,特别是芯片系统集成 (SOC)技术的提出,使基准电路被广泛使用的同时,也对其性能提出了更高的要求。基准电流源...
基于PTAT改进的带隙基准源电路的设计与仿真
对三种高阶温度补偿的带隙基准源采用TSMC0.351.u'n的CMOS工艺运用HSPICE进行仿真,得到在3.3V的电源电压下,,25℃"-'125℃内的温度系数依次为2.72pprn/*C;5.93pprn/4C;3.79ppm/。C。电源抑制比分别为96dB,88dB,85dB。需要的启动时间依次为5/.tS,6/.tS,6p.S。结果显示,三种带隙基准源性能均能达到电源管理...
运算放大器是模拟和混合电路中被广泛应用的基本模块,其精度和稳定性决定着系统的性能,而 CMOS轨对轨运算放大器以其优异的输入,输出电压范围等特点受到广泛的应用.本文主要针对CMOS轨对轨运算放大器及其辅助电路带隙基准源进行设计与仿真. 本论文首先针对国内外低压低功耗轨对轨运算放大器做了广泛的调查和研究,在吸收...