主要负责晶圆的加工制造,后道工艺在封测厂中进行,主要负责芯片的封装测试,其中,化学机械抛光(CMP)是实现晶圆全局平坦化的关键工艺,指的是通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用,实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化,是先进集成电路制造前道工序、先进封装等环节必需的关键制程工艺。
与传统的注塑工艺相比，微细发泡注塑成型技术生产的制件具有良好的力学性能以及尺寸稳定性，而且制件的尺寸精度和重复精度高，公差范围小。6. 免喷涂注塑 免喷涂始于2016年，无需喷涂等后加工处理，通过带特殊金属颜色效果的塑胶颗粒注塑一次成型，制成的产品自带色彩纹理等，可以达到仿金属、仿陶瓷甚至仿织物等不同的外...
先由PMOS发展到NMOS,又发展为CMOS,目前CMOS技术渐渐不能胜任需求,又发展出BiCOMS、BCD 和HV-CMOS 等多个变种工艺技术。 在PMOS晶体管中,源极(Source)和漏极(Drain)是由p型半导体制成,衬底(Substrate)是n型半导体。当在栅极(Gate)和源极之间施加负电压时,空穴被吸引到栅极下方形成导...
BCD工艺是CMOS工艺的变种,是基于CMOS工艺的一种特色工艺。什么是BCD工艺?BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺技术是将双极型晶体管、CMOS(互补金属氧化物半导体)和DMOS(双扩散金属氧化物半导体)晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工艺。双极型晶体管主要用于模拟信号控制,而CMOS 和 DMOS...
在化工领域的18种重点监管危险工艺中，确实有超过三分之二属于放热反应，具体比例约为14种放热工艺，4种吸热工艺（电解、电石、过氧化、裂解/裂化）。以下是详细分析：一、放热工艺（14种）光气及光气化工艺：剧烈放热，需严格控温。氯化工艺：放热量大，易超温超压。硝化工艺：强放热，局部过热风险高。合成氨工艺...
技术工艺:晶圆级封装的关键工艺——硅通孔 半导体封装的四个主要作用,包括机械保护、电气连接、机械连接和散热。封装的形状和尺寸各异,保护和连接脆弱集成电路的方法也各不相同。 半导体封装的分类 半导体封装方法,大致可以分为两种:传统封装和晶圆级(Wafer-Level)封装。传统封装首先将晶圆切割成芯片,然后对芯片进行封装...
屏:全贴合工艺之GFF、OGS、Oncell、Incell 触控屏的贴合工艺分为:框贴、零贴合、全贴合。随着超薄、超窄边框等高清显示屏的大面积推广,全贴合工艺已然成为高阶手机、平板产品最佳的贴合解决方案。 关于框贴、零贴合、全贴合,可以查看上一篇文章:《屏:框贴、0贴合、全贴合》...
工程师脑海中不断浮现两个场景,雕刻,镶嵌,雕刻=蚀刻,镶嵌=沉积,铜虽然不能被蚀刻,但可以沉积,现在的工艺是先沉积铝,然后蚀刻铝,最后沉积电介质,换成铜就不能被蚀刻,但是可以先沉积电介质,然后蚀刻电介质,最后沉积铜,这样所有问题迎刃而解,这就是大马士革工艺!
工艺特点 1)所制产品不导电,可以通过高压电表几万伏特的高压测试,不导通或不被击穿 2)所制产品表面具有金属质感的同时可实现半透明化控制 七、印刷 印刷:是通过移印、网印、转印等方法将所需图案印制在塑胶件表面的一种工艺。 移印:属于特种印刷方式之一。...