进而产生层间激子跃迁.层内激子峰和层间激子峰的能量和强度还可以通过双层WS_2中的转角进行调控.在13 K条件下,通过耦合n型AlGaN,单层WS_2的谷极化率高达82.2%.这是由于AlGaN的电子-声子相互作用会带来更高的激子衰减速率,且掺杂导致的载流子屏蔽效应会减少层间谷散射.层间激子的谷极化率明显高于层内激子,这是...