关于薄基区二极管的描述错误的是A.薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于少子扩散长度B.与厚基区二极管的扩散电流密度公式相比,差别仅在于用WB和WE代替LP和LNC.在x=xn+WB处,少子的浓度为Pn0D.薄基区二极管中,在扩散区,少子的浓度分布随距离作指数衰减...
少数载流子扩散长度 少数载流子扩散长度（minority carrier diffusion length）是半导体物理学术语，又称少子扩散长度。L等于扩散系数与寿命之乘积的平方根，L即表征少数载流子一边扩散、一边复合所能够走过的平均距离。少数载流子寿命越长，扩散长度就越大。