当开关管(如MOSFET、IGBT)完全导通时,理论上应呈现“零阻抗”,但实际仍存在微小电压降: 1. MOSFET:导通压降V_DS主要由导通电阻R_DS(on)和电流决定。例如,IRF540N的R_DS(on)为44mΩ(V_GS=10V时),若通过电流10A,压降为0.44V(数据源:Infineon datasheet)。 2. IGBT:导通压降V_CE通常更高,...
三极管在导通时,电流通过其内部结构的过程中会受到一定的阻碍,从而产生电压降。具体而言,这种电压降主要来源于两个方面:一是三极管内部的扩散势垒,电流在克服这一势垒时会产生电压损失;二是三极管工作时的热效应,随着温度的升高,材料的电阻率会发生变化,进一步导致电压降的产生。 二、影响电压...
这条沟道为PNP型晶体管提供了基极电流,进而使得IGBT整体导通。在导通状态下,从P+区注入到N-区的空穴(少数载流子)会对N-区进行电导调制,减小N-区的电阻(RN),这种电导调制作用使得高耐压的IGBT在导通时也具有较小的通态压降。这个压降就是IGBT在导通时产生的正向电压降,也称为导通压降。 需要注意的是,导通压降...
导通压降约在1~1.5V左右。R3的作用是为了抗干扰。首先，通常光耦的输入电流范围在2~20mA，一般大多数情况下用在5mA以下。对24V输入来讲，光耦压降1.3V，剩余电压22.7V，对6.8k电阻，光耦原边电流约3.3mA，满足其要求。至于22k电阻，要看具体应用。其作用大约有2种：1）抗干、提高可靠性，目的...
将数字万用表调整至二极管测量档位，将红表笔与二极管的正极相连，黑表笔与二极管的负极相连，此时所显示的数值即为二极管的正向导通电压降。若将表笔正负极调换进行测量，则应显示为无穷大。在非在路检测的情况下，若二极管的正向导通电压降落在0.20.3V范围内，则该二极管可能为锗二极管；若电压降落在0.60.8V范围...
导通电压是描述器件从截止到导通的电压值,而导通压降是描述器件在导通状态下,其两端电压之差。换句话说,导通压降是指导通时电路中电压的降低程度,其大小取决于器件的内阻值和电路中的负载电流。通常情况下,导通压降比导通电压更为重要,因为在电路设计和实际电路中,常常需要考虑器件导通时...
解析二极管导通时的电压降现象 6天前 一、二极管导通压降的基本概念 当二极管处于正向偏置且导通时,电流从阳极流向阴极,此过程中会伴随着电压的降低。这一降低的电压值被称为二极管的导通压降。不同类型的二极管具有不同的导通压降范围,如硅二极管的压降通常在0.6V至0.7V之间,而锗二极管则...
三极管导通时的电压降并非固定值,而是受多种因素影响,一般在0.2V至2V范围内波动。首先,三极管的类型是关键因素,小信号晶体管如BC547、BC557等,导通时电压降较低,约0.6V至0.7V;而大功率晶体管如BD139、BD140等,因需处理大电流,电压降可能更高。其次,工作条件也影响电压降,高电流下内部电阻效应增强,电压降随之...
正向导通压降是在管子正向导通的时候,二极管两端的电压,也就是它引起的压降;死区电压是它的门坎电压,也就是说,在这个电压以下时,即使是正向的,它也不导通. 分析总结。 正向导通压降是在管子正向导通的时候二极管两端的电压也就是它引起的压降结果一 题目 二极管的正向导通压降是什么意思正向压降和死区电压有什么不同...
简而言之,它表示二极管在正向工作状态下两端所呈现的电压差值。 二、不同材料与工作条件下的通压降范围 二极管的通压降受材料类型与工作条件共同影响。硅质二极管在标准工作环境下,其正向导通压降通常在0.6至0.7V之间;而锗质二极管则表现为...