[量子态密度公式证明]试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为,其中为导带底电子的状态密度有效质量。 相关知识点: 试题来源: 解析 解:设在第一布里渊区中半导体有s个对称的状态,对于每一个旋转椭球体有: 椭球的波矢体积为: 而波矢空间上的状态密度(单位波矢体积上的量子态数),所以 所以: 如果把这个量子...