光刻机的套刻精度指的是同一晶圆中的不同步骤或不同设备之间的线路图案对准精度,套刻精度越高,不同步骤或设备之间的线路图案对准越精确。套刻精度是芯片制造中非常关键的参数,可以直接影响晶片性能和质量。 光刻机的套刻精度通常受到以下几个因素的影响: 1、硅片的形状和厚度变化,以及光...
1.一种提高光刻对准和套刻精度的方法,其特征在于包括: 第一步骤:通过光刻和刻蚀的方法在硅基片上形成光刻的对准和套刻标记; 第二步骤:对硅基片执行离子注入和退火工艺; 第三步骤:对离子注入和退火后的对准和套刻标记进行激光处理; 第四步骤:利用经激光处理后的对准和套刻标记对硅基片执行后续光刻工艺。 2....
光刻中的套刻精度 | Overlay套刻精度,也就是光刻机的对准精度。以NXT 1980Di为例,官方给的参数是OPO≤1.0nm,DCO≤1.6nm,MMO≤2.5nm,其中OPO是On Product Overlay的意思,产品上的套刻精度,相当于上次曝光和现在的对齐精度,这个精度是1nm以内。这样的精度是在双工件台瞬间急加速然后瞬间急停下达到的。一片晶圆...
摘要 本发明提供了一种提高光刻对准和套刻精度的方法,包括:通过光刻和刻蚀的方法在硅基片上形成光刻的对准和套刻标记;对硅基片执行离子注入和退火工艺;对离子注入和退火后的对准和套刻标记进行激光处理;利用经激光处理后的对准和套刻标记对硅基片执行后续光刻工艺。新闻...
发明人: 郭晓波 摘要: 本发明提供了一种提高光刻对准和套刻精度的方法,包括:通过光刻和刻蚀的方法在硅基片上形成光刻的对准和套刻标记;对硅基片执行离子注入和退火工艺;对离子注入和退火后的对准和套刻标记进行激光处理;利用经激光处理后的对准和套刻标记对硅基片执行后续光刻工艺.收藏...
[0006]为了实现上述技术目的,根据本发明,提供了一种提高光刻对准和套刻精度的方法,包括:[0007]第一步骤:通过光刻和刻蚀的方法在硅基片上形成光刻的对准和套刻标记;[0008]第二步骤:对硅基片执行离子注入和退火工艺;[0009]第三步骤:对离子注入和退火后的对准和套刻标记进行激光处理;[0010]第四步骤:利用经激光...
光刻机的套刻精度指的是同一晶圆中的不同步骤或不同设备之间的线路图案对准精度,套刻精度越高,不同步骤或设备之间的线路图案对准越精确。套刻精度是芯片制造中非常关键的参数,可以直接影响晶片性能和质量。 光刻机的套刻精度通常受到以下几个因素的影响: 1、硅片的形状和厚度变化,以及光刻胶或其...