TRPL Analysis of Intentionally N+B-Doped n -type 4H-SiC Epilayers 電中研 ,産総研 , 富士電機 3 楊 安麗 ,宮澤 哲哉 , 俵 武志 , 村田 晃一 , 土田 秀一 1 CRIEPI , AIST , Fuji Electric Co., Ltd., A. Yang, T. Miyazawa, T. Tawara... A Yang,T Miyazawa,T Tawara,... - 《...