阐述宽禁带电力电子器件的物理基础与基本原理；然后介绍宽禁带电力电子器件的特性与参数，分析宽禁带电力电子器件在单管电路和桥臂电路中的工作原理与性能特点，阐述宽禁带电力电子器件的驱动电路设计挑战、原理与设计方法；最后介绍在宽禁带电力电子器件特性测试和使用宽禁带电力电子器件制作电力电子变换器时的一些实际问题...
《宽禁带化合物半导体材料与器件》是2016年浙江大学出版社出版的图书。内容简介 《宽禁带化合物半导体材料与器件》共9章，主要内容为：绪论；化合物半导体材料基础；化合物半导体中的缺陷；宽带隙半导体发光；化合物半导体器件基本原理，包括pn结、超晶格与量子阱；宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用，主要介绍SiC、...
在电力电子器件领域，以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体器件具有损耗低、耐高温、工作速度快等优点，被认为是下一代最具应用前景的电力电子器件，被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件，具有极其重要的民用和军用价值，是各国竞相抢占的能源战略制高点。然而，宽禁带电力电子器件可靠性和稳定性一直是制约其工程化...
《GaN宽禁带微电子材料和器件重大基础问题研究》是依托西安电子科技大学，由郝跃担任项目负责人的重点项目。中文摘要 本项目以发展AlGaN/GaN异质结器件、改善材料与器件性能为目标，通过对高热导率SiC衬底上GaN外延材料和AlGaN/GaN异质结材料的生长机理和生长动力学、极化效应和量子导电机理等材料物理问题的深入研究，采用...
《宽禁带半导体电力电子器件及其应用》是2009年机械工业出版社出版的图书，作者是陈治明。内容简介 《宽禁带半导体电力电子器件及其应用》介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性、设计制造方法及应用，概括了这一新领域十余年来的主要成就。内容包括：半导体物理基础，电力电子器件的基本原理、...
宽禁带半导体异质结具有非常高的二维电子气密度、高峰值饱和电子迁移速度、高击穿电压、耐高温等特性,对宽禁带半导体器件的噪声机理研究，研制低噪声、高动态范围、高温工作和高输出功率的微波器件有着重要意义。由于缺乏噪声产生机理和准确的噪声参量模型，宽禁带半导体低噪声器件的研究和建模在国际上仍处于探索阶段。本...
2.4 宽禁带半导体材料的表征方法 2.4.1 X射线衍射测试 2.4.2 原子力显微镜测量 2.4.3 光致发光谱测量 2.4.4 傅里叶变换红外谱厚度测试 2.4.5 汞探针C—V法测量杂质浓度分布 参考文献 第3章 碳化硅高频功率器件 3.1 SiC功率二极管 3.1.1 siC肖特基二极管 3.1.2 siC PIN二极管...
本书以宽禁带半导体为主线，扼要介绍当前几种宽禁带半导体电子材料与器件，包括氮化物宽禁带半导体及其异质结构的物理性质、氮化物半导体材料的外延生长、氮化物半导体微波功率材料与器件、氮化物半导体功率电子材料与器件、SiC半导体单晶衬底及外延材料、金刚石半导体功率电子材料与器件、氧化镓半导体功率电子材料与器件。书中重点...
《宽禁带半导体器件耐高温连接材料、工艺及可靠性》是2022年机械工业出版社出版的图书。内容简介 传统软钎料合金在微电子工业中已得到了广泛的应用，然而软钎料合金已经不能满足第三代宽禁带半导体（碳化硅和氮化镓）器件的高温应用需求。新型银烧结/铜烧结技术和瞬态液相键合技术是实现高温器件可靠连接的关键技术，该技术...