从历史数据 及我们推演,DRAM行业周期上行通常将持续两年,看好2021-2022年DRAM行业保持稳 定增长。 二、详解DRAM:存储器最大细分领域 DRAM定义与结构: 半导体存储从应用上可划分为易失性存储器(RAM,包括DRAM和SRAM等),以及非易 失性存储器(ROM和非ROM)。 动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM)同属于易失...
【方正证券】半导体行业DRAM深度报告：存储芯片研究框架.pdf(4.44 MB, 下载次数: 136)
从历史数据 及我们推演,DRAM行业周期上行通常将持续两年,看好2021-2022年DRAM行业保持稳 定增长。 二、详解DRAM:存储器最大细分领域 DRAM定义与结构: 半导体存储从应用上可划分为易失性存储器(RAM,包括DRAM和SRAM等),以及非易 失性存储器(ROM和非ROM)。 动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM)同属于易失...
IBM Thomas J. Watson 研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取 存储器(DRAM),并于1968年申请了专利。 1970年,Intel公司推出第一款商用DRAM芯片Intel 1103,彻底颠覆了磁存储技术。DRAM的出现解决 了磁芯存储器体积庞大,运行速度慢,存储密度低及能耗较高等问题。 DRAM主要可以分为DDR(Double Data Rate)系列、...
半导体行业DRAM深度报告:存储芯片研究框架(202104).pdf,证券研究报告 半导体行业 2020年4月3日 存储芯片研究框架 ——DRAM深度报告 目录 一、DRAM投资逻辑框架 DRAM驱动力及增量市场 DRAM国产替代:合肥长鑫为最大希望 DRAM供需错配导致价格波动 二、详解DRAM:存储器最大
报告出品方/作者:方正证券,陈杭 半导体存储从应用上可划分为易失性存储器(RAM,包括DRAM和SRAM等),以及非易失性存储器(ROM和非ROM)。 动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM)同属于易失性存储器,在断电状态下数据会丢失。两者因结构不同,其应用场景有很大的不同。
DRAM具有刷新特性。由于电容存在漏电现象,因此必须经常进行充电保持电势(刷新),这个刷新的操作一直要持续到数据改变或者断电。 多个位元格(Bit Cell)组成矩阵结构,形成内存库,数个内存库形成DRAM存储芯片。内存库中,多个字元线与位元线交叉,每个交点均存在一个位元格处理信息。字元线改变电压影响相应的位元格,位元格...
半导体行业DRAM深度分析报告:存储芯片研究框架.pdf,证券研究报告 半导体行业 2020年4月3日 存储芯片研究框架 ——DRAM深度报告 目录 一、DRAM投资逻辑框架 DRAM驱动力及增量市场 DRAM :合肥长鑫为最大希望 DRAM供需错配导致价格波动 二、详解DRAM:存储器最大细分领域 三
存储芯片研究框架 ——DRAM深度报告;;;DDR2;;;DRAM从2D架构转向3D架构是未来的主要趋势之一。3D DRAM是将存储单元(Cell)堆叠至逻辑单元 上方以实现在单位晶圆面积上产出上更多的产量。相较于普通的平面DRAM,3D DRAM可以有效降低 DRAM的单位成本。 其他发展路径:采用铁电材料的设计电容(ferro capacitor)以延长DRAM位...
报告摘要 一、DRAM投资逻辑框架:DRAM国产替代:合肥长鑫为最大希望;DRAM供需错配导致价格波动;DRAM驱动力及增量市场。 二、详解DRAM:存储器最大细分领域:DRAM定义与结构;DRAM历史与发展;DRAM分类及技术路径;DRAM未来技术及制程。 三、周期&需求:周期波动及需求分析:DRAM行业变革及周期;DRAM供需与周期关系详解;DRAM六大...