有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)问:(1)共需要多少RAM芯片(2)画出存储体的组成框图。(3)采用异步刷新方式,如单
(2) 设计此存储体组成框图如下所示。(3) 设该128K8位的DRAM芯片的存储阵列为5122568结构,则如果选择一个行地址进行刷新,刷新地址为AA8,那么该行上的2048个存储元同时进行刷新,要求单元刷新间隔不超过8ms,即要在8ms内进行512次刷新操作。采用异步刷新方式时需要每隔进行一次,可取刷新信号周期为15....
解:(1) 需要1024K×32-|||-=8×4=32-|||-128K×8片,每4片为一组,共需8组(2) 设计此存储体组成框图如下所示。A-As-|||-CPU-|||-四-|||-03-|||-四-|||-4-|||-四-|||-WE-|||-D-Dsn-|||-7-|||-四-|||-9-|||-CPU-|||-20-|||-30-|||-9-|||-(27-|||-20-|...
〔2〕画出存储体的组成框图。相关知识点: 试题来源: 解析 解:〔1〕芯片1K×4位,片内地址线10位〔A9--A0 〕,数据线4位。芯片总数 16K×16/〔1K×4〕=64片 〔2〕存储器容量为16K,故地址线总数为14位〔A13─A0〕,其中A13A12A11A10通过4:16译码器产生片选信号CS─CS15。 A9─A CS15 4位 CS1 CS0 ...
[1]有一个1024K×32位的存储器,由128 K×8位的DRAM芯片组成。问: (1) 总共需要多少DRAM芯片? (2)此存储体组成框图。 (3)采用异步刷新方式,如果单元刷新间隔不超过8 mS,则刷新周期(一行)是多少? 解: (1)需要(1024K/128K) ×(32/8)=8(组)×4(片堆叠)=32(片) ...
解析 解:(1)总共需要DRAM芯片数为: N=(1024K/128K)×(32位/8位)=32(片) (2)此存储体组成框图 (3)如果选择一个行地址进行刷新,刷新地址为A-A8,因此这一行上的256×8个存储元同时进行刷新,即在8ms内进行512个周期。在8ms中进行512次刷新操作,按分散刷新方式8ms/512 = 15.5us刷新一次。
4.有一个1024K×32位的存储器,由128K×8位DRAM芯片构成 (1)总共需要多少DRAM芯 (2)设计此存储体组成框图 (3)设DRAM芯片存储体结构为512行,每行为256X8个存储元。采用分散 新方式,如单元刷新间隔不超过8m 新信号周期是多少相关知识点: 试题来源: 解析反馈 收藏 ...
解:( 1)组成 64K×32 位存储器需存储芯片数为 N=(64K/16K)×( 32 位/8 位) =16(片) 每4 片组成 16K×32 位的存储区,有 A13-A0 作为片内地址,用 A15 A14 经 2:4 译码器产生片选信号 ,逻辑框图如下所示: ⏺ ( 2)根据已知条件, CPU在期为,如果采用集中刷新,有 1us 内至少访存一次,而整个...
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(1)画出该存储器的组成逻辑框图 (2)设DRAM芯片存储体结构为128行,每行为128×8个存储元。如单元刷新间 不超过 存储器读写周期为0.5μS,CPU在1uS内至少要访问一次。试问 采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储 元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?相关...