在通孔刻蚀的优化过程中,光滑的孔侧壁及大刻蚀角度均对孔链电阻的降低有一定改善,但由于刻蚀工艺气体及工艺设备的限制,传统的通孔一步刻蚀工艺终止层为下层金属上的氮化钛,这会导致金属层间孔链电阻变大。[0004]图1和图2分别为传统通孔刻蚀工艺WAT Mapping测试金属层间孔链电阻以及通孔形貌,从WAT参数中看出金属...
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【专利摘要】本发明公开了一种降低集成电路多层金属间孔链电阻的通孔刻蚀方法,首先在相邻两层金属的下层金属上生长钛、氮化钛及金属层间氧化层介质,完成平坦化工艺后,涂覆光刻胶,然后曝光、显影形成通孔层的光刻图形;其次完成通孔刻蚀工艺的第一次干法刻蚀,即二氧化硅干法刻蚀,此次刻蚀的终止层为下层金属上的氮化钛...