1 首先，打开AD软件。2 点击File，在下拉列表中选择Open。3 选择一个原理图库文件，并打开。方法/步骤2：在库中绘制元件的第一部分 1 在库文件编辑界面下，双击默认的元件名。2 此时，元件库属性的界面下都是默认或待编辑状态。3 这里，我选择的是一片含有子器件的通用运放。在图中框选的地方，添加该元件的...
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在失效的硅器件表面,常常观察到硅熔融,而导致硅熔融的原因却不只一个。例如:器件短路和开关时的瞬间大电流,正向工作区域或热工作区出现二次击穿损伤等到。因此要对静电敏感的器件和电路的输入/输出(I/O)端增设静电放电(ESD)保护装置。而ESD保护装置的器件的硅熔融,也是使被保护的器件和电路失效的原因之一。在本文...
3NA6144端子式熔断器 保险丝 西门子 电子元器件 数量充足批次22+ 3NA6144 500 西门子 标准封装 22+ ￥120.0000元1~4 个 ￥115.0000元5~-- 个 银耀芯城半导体(江苏)有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 phoenix菲尼克斯UK 10,3-HESI 1000V-3211236端子保险丝元件现货 UK10,3-HESI1000V-3211...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)及其子器件(比如MOSFET、GTO等)在操作中可能会出现多种失效模式。下面比较分析了IGBT及其子器件的四种常见失效模式: 热失效(Thermal Failure): IGBT:热失效是IGBT的主要失效模式之一。它通常由于长时间过载操作、不足的散热或环境温度过高等原因导致。在热失效情况下,IGBT的温度会...
首先,研究人员将合成的基于自组装DNA纳米孔的离子通道与H⁺选择性钯(Pd)电极结合在一起,创造了一种生物质子器件,该器件可以记录和调节穿过双层膜的H⁺电流(图1)。如图1所示,DNA纳米孔跨越脂质双层膜,该膜位于与微流控结构集成的Pd触点顶部。 由于极性变化,Pd触点和溶液中的Ag/AgCl参比电极之间的电压(VH⁺...
电源端子器件是电子设备中不可或缺的组件,它们承担着电气连接、电流传导和信号传输等重要任务。下面,我们将详细介绍几种常见的电源端子器件。 一、插头与插座 插头和插座是最常见的电源端子器件之一。插头通常安装在电缆的一端,用于与插座相连接,从而传输电能。根据用途和标准的不同,...
第二代计算机所采用< underline>的电< /underline>子器件[1][1]是_。 A. 晶体管 B. 超导体 C. 中小规模集成电路[2][2]
多子器件二极管的结构是由多个PN结级联组成。当电压作用于多子器件二极管时,电流会在多个PN结之间流动,形成一条通路。而在多子器件二极管的结构中,不同级联的PN结材料不同,也就是说,它们在形成PN结的过程中使用了不同的材料,例如硅、锗等。 当反向电压作用于多子器件二极管时,由于多个PN结的叠压作用,反向击穿电压...